[發(fā)明專利]一種集成電路應力退化的多功能測試電路和測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110443476.9
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102495352A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設計）人: 黃大鳴;彭嘉;李名復
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種集成電路應力退化的多功能測試電路，其特征在于包括一個核心電路，該核心電路包含一個環(huán)形振蕩器RO_CP（1）；在環(huán)形振蕩器RO_CP（1）的每兩級反相器之間，接入一組輔助的pMOSFET（11）和nMOSFET（12），其中輔助pMOSFETs和nMOSFETs的源分別接環(huán)形振蕩器RO_CP的高電位Vdd1（201）和低電位Vss（202），每組pMOSFET和nMOSFET的漏連在一起，通過開關晶體管S1（13）和開關晶體管S2（14）分別與前級反相器的輸出和后級反相器的輸入相連；所有輔助pMOSFETs的柵極連在一起，并接到第一控制端Vp（203），所有輔助nMOSFETs的柵極連在一起，并接到第二控制端Vn（204）；所有開關晶體管S1的柵極連在一起，并接到第三控制端VS1（205），所有開關晶體管S2的柵極連在一起，并接到第四控制端VS2（206）；環(huán)形振蕩器RO_CP所有反相器中的pMOSFETs的襯底連在一起，單獨接到一個外部連接端Icpp（207）；環(huán)形振蕩器RO_CP所有反相器中的nMOSFETs的襯底連在一起，單獨接到一個外部連接端Icpn（208）；?所有開關晶體管均為I/O器件，其工作電壓高于核心電路的工作電壓，以避免高電平傳輸時的閾值損失；

所述的核心電路，還包含一個分頻系數為N的第一分頻電路（3）和第一緩沖電路（4）；核心電路（1）的輸出連到第一分頻電路（3）的輸入，第一分頻電路（3）的輸出連到第一緩沖電路（4）的輸入，第一緩沖電路（4）的輸出連到一個外部測量端OUT1（209）。

2.如權利要求1所述的集成電路應力退化的多功能測試電路，其特征在于測試電路還包含一個與核心電路結構相同的參照電路RO_ref（5），一個與第一分頻電路相同的第二分頻電路（6）和一個與第一緩沖電路相同的第二緩沖電路（7）；參照電路RO_ref的輸出連到第二分頻電路（6）的輸入，第二分頻電路（6）的輸出連到第二緩沖電路（7）的輸入，第二緩沖電路（7）的輸出連到另一個外部測量端OUT2（210）；除此之外，測試電路還包含一個相位比較器（8）和第三緩沖電路（9）；核心電路（1）的輸出還連到相位比較器（8）的一個輸入，參照電路RO_ref（5）的輸出還連到相位比較器（8）的另一個輸入，相位比較器（8）的輸出連到第三緩沖電路（9）的輸入，第三緩沖電路（9）的輸出連到第三個外部測量端OUT3（211）；參照電路RO_ref（5）的輸出還通過若干開關晶體管S（51）連到環(huán)形振蕩器RO_CP（1）中每一級反相器的輸入，所有開關晶體管S的柵連在一起，接到外部控制端VS（212）。?