[發明專利]MEMS熱式流量傳感器

無效

• 申請號: 201110443149.3
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102620780A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 張小水;劉建鋼;王書潛;祁明鋒
• 申請（專利權）人: 鄭州煒盛電子科技有限公司
• 主分類號: G01F1/684
• 分類號: G01F1/684
• 代理公司: 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117
• 代理人: 黃軍委

技術領域

本發明涉及一種流量傳感器，具體的說，涉及了一種MEMS熱式流量傳感器。?

背景技術

在硅等半導體基板上使用MEMS加工工藝制造的熱式流量傳感器通常叫MEMS熱式流量傳感器，此種半導體型的熱式流量傳感器，通常是在數微米厚的薄膜狀半導體基板上形成發熱電阻體和感溫元件；該傳感器因為是采用薄膜類結構，所以，它具有熱容量小、可高速響應、可低電壓驅動的優點；此外，該傳感器采用MEMS加工工藝，容易形成發熱電阻體和感溫元件，利于上下游的溫度差檢測，且利于順流、逆流的判別。?

在實際生產中，MEMS熱式流量傳感器的流量感測芯片通常直接粘貼在流體通道內壁，以便進行流量檢測，但是，流量感測芯片直接粘貼在流體通道內壁，使流量感測芯片相對流體通道內壁產生一定的凸出問題，即流量感測芯片與流體通道形成階梯差，致使被檢測的氣流易產生紊亂，進而影響檢測結果的準確性。?

為了解決以上存在的問題，人們一直在尋求一種理想的技術解決方案。?

發明內容

本發明的目的是針對現有技術的不足，從而提供了一種結構簡單、成本低、易于實現、效果突出、檢測結果精確性高的MEMS熱式流量傳感器。?

為了實現上述目的，本發明所采用的技術方案是：一種MEMS熱式流量傳感器，它包括MEMS熱式流量感測芯片和流體通道，所述流體通道的內壁設置有凹槽，所述MEMS熱式流量感測芯片安裝在所述凹槽內，所述MEMS熱式流量感測芯片的敏感面與所述流體通道的內壁表面平齊。?

基于上述，所述流體通道具有凹槽的一側內壁是平面內壁。?

基于上述，所述流體通道是內壁光滑且橫截面呈方形的管道。?

本發明相對現有技術具有突出的實質性特點和顯著進步，具體的說，通過使MEMS熱式流量感測芯片的感應面與流體通道的內壁平整，去除了階梯差，不會產生流動紊亂，可以消除因流體流動紊亂而產生的測定誤差，并可以降低因灰塵沖擊而產生的破壞，使MEMS熱式流量傳感器的抗污能力大大增強、信號穩定性得到保證，也使傳感器的使用壽命變長，還利于擴展傳感器的檢測量程。?

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖。?

具體實施方式

下面通過具體實施方式，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。?

如圖1所示，一種MEMS熱式流量傳感器，它包括MEMS熱式流量感測芯片2和流體通道1；其中，所述流體通道1具有凹槽的一側內壁是光滑的平面內壁；所述流體通道1的內壁3設置有凹槽，所述凹槽的形狀和大小與所述MEMS熱式流量感測芯片2的形狀和大小吻合；所述MEMS熱式流量感測芯片2用膠體貼裝在所述凹槽內，所述MEMS熱式流量感測芯片2的敏感面與所述流體通道1的內壁3表面平齊；需要特別說明的是，在其它實施例中，所述凹槽也可以是一個槽孔，以便于從所述流體通道1的外部安裝所述MEMS熱式流量感測芯片2。?

將同一個MEMS熱式流量感測芯片貼裝在同一個流體通道內，使MEMS熱式流量感測芯片與所述流體通道有5種不同的貼裝狀態：使MEMS熱式流量感測芯片的敏感面與所述流體通道的內壁表面平齊，即平貼狀態；將MEMS熱式流量感測芯片直接貼裝在所述流體通道的內壁表面，即凸起狀態；將MEMS熱式流量感測芯片貼裝在所述凹槽內，并使MEMS熱式流量感測芯片的敏感面高于所述流體通道的內壁表面，即半凸狀態；將MEMS熱式流量感測芯片貼裝在所述凹槽內，并使MEMS熱式流量感測芯片的敏感面稍低于所述流體通道的內壁表面，即半凹狀態；將MEMS熱式流量感測芯片貼裝在所述凹槽內，并使MEMS熱式流量感測芯片的敏感面低于所述流體通道的內壁表面，即凹陷狀態。?

在上述5種不同的貼裝狀態下，在相同的條件下，采用同一檢測設備對MEMS熱式流量傳感器進行檢測，檢測數據如下：?

由上表不難看出，MEMS熱式流量感測芯片與所述流體通道的貼裝狀態，對于毫伏級輸出的MEMS熱式流量傳感器而言，有著很大的影響。

最后應當說明的是:以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其限制；盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解：依然可以對本發明的具體實施方式進行修改或者對部分技術特征進行等同替換；而不脫離本發明技術方案的精神，其均應涵蓋在本發明請求保護的技術方案范圍當中。?