[發(fā)明專利]真空蒸鍍裝置及有機(jī)EL顯示裝置的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110442780.1
• 申請(qǐng)日: 2011-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN102732836A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三宅龍也;玉腰武司;山本健一;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;楠敏明;尾方智彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立高新技術(shù)
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 黃永杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種形成真空蒸鍍膜的方法及其裝置，特別是涉及用于在大型的基板上形成有機(jī)EL顯示裝置有效的真空蒸鍍方法及其裝置。

背景技術(shù)

用于有機(jī)EL顯示裝置、照明裝置的有機(jī)EL元件為從上下用陰極和陰極一對(duì)電極夾入由有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)層的構(gòu)造，成為以下的結(jié)構(gòu)，即，通過對(duì)電極施加電壓，從而從陽(yáng)極側(cè)向有機(jī)層注入空穴，從陰極側(cè)向有機(jī)層注入電子，使它們?cè)俳Y(jié)合而發(fā)光。

該有機(jī)層成為層疊了包含空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層的多層膜的結(jié)構(gòu)。作為形成該有機(jī)層的材料，使用高分子材料和低分子材料。在其中的使用低分子材料的情況下，使用真空蒸鍍裝置形成有機(jī)膜。

有機(jī)EL器件的特性很大地受到有機(jī)層的膜厚的影響。另一方面，形成有機(jī)薄膜的基板逐年大型化。因此，在使用真空蒸鍍裝置的情況下，需要高精度地控制形成在大型的基板上的有機(jī)薄膜、電極用金屬薄膜的膜厚，長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行。電極用金屬薄膜隨著大型化，需要低電阻化，特別是在用于顯示器中，作為有機(jī)層的上部的電極材料，鋁材料被視為最有優(yōu)勢(shì)。

作為用于由真空蒸鍍?cè)诨迳线B續(xù)地形成薄膜的構(gòu)成的蒸發(fā)源，在“專利文獻(xiàn)1”中公開了以下裝置，該裝置具有蒸發(fā)源機(jī)構(gòu)，該蒸發(fā)源機(jī)構(gòu)設(shè)置2個(gè)以上的線性蒸發(fā)源，蒸發(fā)源內(nèi)至少一個(gè)蒸發(fā)源相對(duì)于地面或水平方向傾斜了規(guī)定角度，使該蒸發(fā)源機(jī)構(gòu)上下移動(dòng)而進(jìn)行蒸鍍。在“專利文獻(xiàn)2”中公開了一種直線地配置多個(gè)坩堝、對(duì)蒸發(fā)源的AL合金進(jìn)行掃描蒸鍍的技術(shù)及水平地設(shè)置基板、使蒸發(fā)源朝上進(jìn)行蒸鍍的機(jī)構(gòu)。另外，在“專利文獻(xiàn)3”中公開了一種制造裝置，該制造裝置配置多個(gè)坩堝，相對(duì)于基板進(jìn)行傾斜掃描蒸鍍。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-249572號(hào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利第4545504號(hào)

專利文獻(xiàn)3：日本專利第4515060號(hào)

在“專利文獻(xiàn)1”中公開了一種蒸發(fā)源機(jī)構(gòu)，該蒸發(fā)源機(jī)構(gòu)設(shè)置2個(gè)以上的線性蒸發(fā)源，蒸發(fā)源內(nèi)至少一個(gè)蒸發(fā)源相對(duì)于地面傾斜規(guī)定角度，而多個(gè)線性蒸發(fā)源朝著相同基板位置，為了對(duì)縱向上大的面積進(jìn)行蒸鍍，需要在上下方向上掃描。上述線性蒸發(fā)源在使用了鋁材料的情況下，潤(rùn)濕、向上蠕動(dòng)(這い上がる)的影響使得不能進(jìn)行連續(xù)的蒸鍍。另外，若線性蒸發(fā)源內(nèi)的材料被消耗，則蒸鍍停止，所以，不能應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。

在“專利文獻(xiàn)2”中公開了一種直線地配置多個(gè)坩堝、對(duì)蒸發(fā)源的AL合金進(jìn)行掃描蒸鍍的技術(shù)及水平地設(shè)置基板、使蒸發(fā)源朝上進(jìn)行蒸鍍的機(jī)構(gòu)。然而，關(guān)于對(duì)縱向地設(shè)置的基板進(jìn)行蒸鍍的方法及長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行并未公開。

在“專利文獻(xiàn)3”中公開了一種制造裝置，該制造裝置配置多個(gè)坩堝，相對(duì)于基板進(jìn)行傾斜掃描蒸鍍。然而，關(guān)于對(duì)縱向地設(shè)置的基板進(jìn)行蒸鍍的方法及長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行并未公開。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的課題，提供一種真空蒸鍍方法及其裝置，在該真空蒸鍍方法及其裝置中使用設(shè)置有在相同方向上排列的多個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)源列，對(duì)應(yīng)于縱向地設(shè)置的大型基板，能夠高速、連續(xù)地形成以鋁材料為主的金屬薄膜。

本發(fā)明的最主要的特征在于，使用陶瓷制的坩堝，為了防止鋁的向上蠕動(dòng)，應(yīng)對(duì)縱型的大型基板，具有這樣的機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)在縱向上排列至少2個(gè)以上的在相同方向上按規(guī)定角度傾斜的蒸發(fā)源進(jìn)行蒸鍍。

根據(jù)本發(fā)明，為了防止因鋁蒸鍍而成為問題的潤(rùn)濕、向上蠕動(dòng)，采用一體型的坩堝結(jié)構(gòu)，材質(zhì)為不與鋁材料反應(yīng)的熱分解性氮化硼(PBN)，使得PBN坩堝以規(guī)定角度，使得傾斜地配置了多個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)源列相對(duì)于基板相對(duì)地沿橫向移動(dòng)，據(jù)此，對(duì)縱型配置的基板進(jìn)行蒸鍍。為此，即使為大型基板，只要增加蒸發(fā)源列的蒸發(fā)源數(shù)量，不論大小如何，都能夠進(jìn)行蒸鍍。另外，在真空蒸鍍室內(nèi)準(zhǔn)備多個(gè)蒸發(fā)源列，切換著進(jìn)行蒸鍍，據(jù)此，能夠應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。

附圖說明

圖1為表示本發(fā)明的第1實(shí)施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構(gòu)成的模式圖和說明動(dòng)作的圖。

圖2為表示本發(fā)明的第1實(shí)施例的蒸發(fā)源列與基板、蒸鍍薄膜及薄膜的膜厚分布的關(guān)系的截面的模式圖。

圖3為表示用于改善本發(fā)明的第1實(shí)施例的薄膜的膜厚分布的構(gòu)成的截面的模式圖。

圖4為表示本發(fā)明的第2實(shí)施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構(gòu)成的模式圖和說明動(dòng)作的圖。

圖5為表示本發(fā)明的第3實(shí)施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構(gòu)成的模式圖和說明動(dòng)作的圖。

圖6為表示本發(fā)明的第4實(shí)施例的蒸發(fā)源列截面構(gòu)造的模式圖。