[發明專利]真空蒸鍍裝置及有機EL顯示裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201110442780.1
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102732836A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 三宅龍也;玉腰武司;山本健一;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;楠敏明;尾方智彥
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 黃永杰

1.一種真空蒸鍍裝置，其具有蒸發源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于，

上述蒸發源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發源構成，上述蒸發源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發源的長軸相對于水平方向按規定角度朝相同方向傾斜。

2.根據權利要求1所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發源列能夠相對于縱向地配置的基板相對地進行1軸移動。

3.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發源的開口朝著水平方向。

4.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述蒸發源列能夠在蒸鍍裝置內配置二組以上，交替地使用。

5.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述蒸發源列具有能夠真空隔斷的閥，并具有能夠在真空外進行材料更換的設備。

6.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述蒸發源列具有能夠在真空內進行材料補充的材料供給機。

7.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述蒸發源列具有比上述基板的縱向長度更長的蒸發源列。

8.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述蒸發源列能夠通過閘閥在真空內移動，所述閘閥能夠與蒸鍍室分離。

9.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，

上述基板設置機構在蒸鍍室內配置了2組以上。

10.一種真空蒸鍍裝置，具有蒸發源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于，

上述蒸發源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發源構成，上述蒸發源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發源的長軸為水平方向，上述開口形成在上述蒸發源的豎直方向的中央部的上側，并且，上述開口朝著水平方向。

11.一種真空蒸鍍裝置，具有蒸發源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于，

上述蒸發源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發源構成，上述蒸發源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發源的軸為豎直方向，上述開口形成在上述蒸發源的豎直方向的中央部的上側，并且，上述開口朝著水平方向。

12.根據權利要求10或11所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發源列能夠相對于縱向配置的基板相對地進行1軸移動。

13.一種有機EL顯示裝置的制造方法，該有機EL顯示裝置由封裝基板封裝了TFT基板，該TFT基板形成有薄膜晶體管、有機EL層以及夾住上述有機EL層的電極層，其特征在于，

將形成有薄膜晶體管的TFT基板配置在真空蒸鍍裝置內的基板設置機構中，與上述TFT基板相向地配置蒸發源列，該蒸發源列在縱向上排列蒸發源，該蒸發源收容了上述有機EL層或電極層的材料，

上述蒸發源的軸相對于水平方向傾斜規定角度，

通過使上述TFT基板或上述蒸發源列在水平方向上相對地移動，從而形成上述有機EL層或上述電極層。