[發明專利]超高壓LDMOS器件的結構及制備方法

無效

• 申請號: 201110442737.5
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN103178092A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 寧開明;董科;馬棟
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種超高壓LDMOS器件的結構，包括源端、漏端、柵極溝道和高壓漂移區，其中，高壓漂移區有一深阱，深阱中注入有反型層，反型層的雜質類型與深阱的雜質類型相反；其特征在于，在所述反型層的上方還有一個碳注入層。

2.根據權利要求1所述的LDMOS器件的結構，其特征在于，所述碳注入層的形狀與所述反型層的形狀相同。

3.根據權利要求2所述的LDMOS器件的結構，其特征在于，所述碳注入層的面密度為1E11～1E13/cm²。

4.根據權利要求3所述的LDMOS器件的結構，其特征在于，碳注入的能量為700～1300Kev。

5.權利要求1所述結構的LDMOS器件的制備方法，包括以下步驟：

1)在襯底上形成高壓漂移區的深阱和源端的襯底阱；

2)通過光刻和離子注入工藝，在深阱中注入反型層；

3)制作源極、漏極、柵極，完成LDMOS的制備；

其特征在于，步驟2)和3)之間，還包括步驟：

2’)通過光刻和離子注入工藝，在反型層上方形成碳注入層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟2’)使用步驟2)的光刻掩膜板。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，步驟2’)，碳注入的面密度為1E11～1E13/cm²。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟2’)，碳注入的能量為700～1300Kev。