[發(fā)明專(zhuān)利]超高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110441110.8
• 申請(qǐng)日: 2011-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103178087A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寧開(kāi)明;董科;馬棟;朱東園
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.超高壓LDMOS器件結(jié)構(gòu)，包括源端、漏端、高壓漂移區(qū)和柵極溝道，其中，源端有襯底阱，該襯底阱的雜質(zhì)類(lèi)型與襯底相同；高壓漂移區(qū)表面有用于耐壓的反型層，該反型層的雜質(zhì)類(lèi)型與高壓漂移區(qū)相反；其特征在于，該LDMOS中有兩個(gè)物理上相連的深阱，分別用于放置所述襯底阱和所述反型層，兩深阱的間隙位于柵極下方的局部氧化硅的鳥(niǎo)嘴附近。

2.權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)的超高壓LDMOS器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)設(shè)計(jì)深阱的掩膜版，將放置源端襯底阱的深阱和放置高壓漂移區(qū)的反型層的深阱分離；

2)在襯底上涂布光刻膠，曝光，打開(kāi)深阱；

3)通過(guò)離子注入工藝，在深阱中注入雜質(zhì)離子；

4)去除光刻膠；

5)熱推阱，使兩個(gè)深阱在物理上相連；后續(xù)按常規(guī)工藝完成LDMOS的制備。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述深阱為N型深阱。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，步驟3)，所述雜質(zhì)離子是磷離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟3)，離子注入條件為：注入能量100～200KeV，注入劑量1E12～1E13/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟5)，推阱的條件為：溫度1200℃，通氮?dú)猓瑫r(shí)間400～500分鐘。