[發明專利]一種大尺寸ITO靶材的制備方法

無效

• 申請號: 201110440630.7
• 申請日: 2011-12-26
• 公開（公告）號: CN102531636A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 周曉龍;曹建春;陳敬超;黎敬濤;于杰
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/457;C04B35/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大尺寸ITO靶材的制備方法，其特征在于具體制備步驟包括如下：

（1）取ITO粉，將不同的納米級別的ITO粉按比例進行配料，然后加入ITO粉5～30wt%的去離子水和1～10wt%的分散劑聚乙二醇，再通過3～15小時的球磨至過200目篩，最后用去離子水洗滌1～3次；

（2）將步驟（1）制備的洗滌后的ITO粉過濾后，加入ITO粉干料2～15wt%的粘結劑聚乙烯醇，并攪拌1～3小時；

（3）將步驟（2）中得到的混合料在200～600MPa壓力條件下擠成片坯，然后在碾壓壓力為0.05～3Pa的條件下反復碾壓2～4次；

（4）將經過步驟（3）的坯料置于250～600℃溫度范圍內，保溫3～6小時脫脂；

（5）將經過步驟（4）脫脂的坯料送入高溫氣氛爐中進行燒結，燒結過程中保持通入流量為200～1000ml/min的高純氧氣，燒結條件為：先從室溫升溫到650℃，保溫2小時；然后再升溫到1000～1200℃，保溫0.5～3小時后，再升溫到1500℃～1600℃溫度范圍內保溫3～6小時，最后隨爐冷卻，制得ITO靶材。

2.根據權利要求書1所述的大尺寸ITO靶材的制備方法，其特征在于：所述ITO粉的納米級別分為20nm、40?nm、60?nm、80?nm、90?nm，其配料比例可以按照20nm：40nm：90nm=4:2:1，20nm：40nm：80nm=3:2:1或者20nm：40nm：60nm=2:2:1三種配比的任意一種進行配料。

3.根據權利要求書1所述的大尺寸ITO靶材的制備方法，其特征在于：所述高純氧氣的純度在99.9wt%以上。