技術領域：
本發明涉及一種大尺寸ITO靶材的制備方法，屬于透明導電薄膜靶材的技術領域。
背景技術：
惠耀輝等對高性能ITO靶材生產技術的現狀分析后認為：國內ITO靶材產品多數用于低端TN導電玻璃，而用于中檔STN及高端TFT—LCD的ITO靶材產品目前尚不能夠提供。在全球范圍內，高端TFT—LCD用ITO靶材均來自日本的東曹、日立、住友、日本能源、三井，韓國三星康寧，美國優美克，德國的賀力士等公司等。特別是日本在高端ITO靶材生產技術方面一直處于領先地位，幾乎壟斷了大部分TFr液晶市場。由于ITO生產技術屬于高度保密的商業機密，所以在高端TFT—LCD用ITO靶材這方面公開的資料不多。
國內外ITO靶材的生產工藝主要包括：ITO粉的制備、成形、燒結、后加工和檢測等。
在制粉方面國內外技術比較接近，多以化學方法(如共沉淀法)為主；在成形方面，國內主要以等靜壓為主，國外以注漿成形為主；在燒結方面，國內主要以熱等靜壓燒結為主，氣氛燒結也已有報道，國外普遍采用常壓燒結技術。
從上述國內外ITO靶材生產工藝的比較看出：1）在成形方面國內采用的等靜壓成形技術，由于受到等靜壓設備的局限性限制了ITO靶材的尺寸，且所制備的ITO靶材也存在密度不均勻、成品率低、穩定性差，對模具和壓機要求較高、容易引入雜質、無法成形曲面靶材等缺點。雖說國外的注漿成形技術比較成熟，但由于對國內的技術封鎖，造成我國雖有部分單位進行了前期研究工作，也獲得了較成熟的工藝與設備，但離實際生產還有較遠的距離。2）在燒結工藝方面國內目前相對先進的燒結工藝是高壓氣氛燒結技術，造成燒結周期長，氣體消耗量大，設備產出投入比低，產品質量不穩定，且操作時有一定的危險性。
正是基于國內ITO靶材成形與燒結還存在的一些問題，本發明在結合國內現有成熟的ITO粉制備基礎上，提出了通過擠壓素坯成形→碾壓→脫脂→常壓氣氛燒結等連續生產工藝技術來制備高端ITO靶材。對打破國外對我國高端ITO靶材制備技術的封鎖具有重要意義。
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發明內容
本發明的目的是提供一種大尺寸ITO靶材的制備方法，制得的ITO靶材尺寸靈活多變，具體的制備工藝流程見圖1。
本發明的技術方案是：以20nm～100nm的ITO粉（純度大于99.99）為原料，添加適量的分散劑、粘結劑后，經過充分攪拌，然后通過擠出、碾壓、脫脂、燒結來獲得高致密度、大尺寸ITO靶材。其具體制備步驟包括如下：
（1）取ITO粉，將不同的納米級別的ITO粉按比例進行配料（重量百分比），然后加入ITO粉5～30wt%的去離子水和1～10wt%的分散劑聚乙二醇（PEG），再通過3～15小時的球磨至過200目篩，最后用去離子水洗滌1～3次；
（2）將步驟（1）制備的洗滌后的ITO粉過濾后，加入ITO粉干料2～20wt%的粘結劑聚乙烯醇(PVA)，并攪拌1-3小時；，
（3）將步驟（2）中得到的混合料在200～600MPa壓力條件下擠成片坯，然后在碾壓壓力為0.05～3Pa的條件下反復碾壓2～4次；
（4）將經過步驟（3）的坯料置于250～600℃溫度范圍內，保溫3～6小時脫脂；
（5）將經過步驟（4）脫脂的坯料送入高溫氣氛爐中進行燒結，燒結過程中保持通入流量為200～1000ml/min的高純氧氣，燒結條件為：先從室溫升溫到650℃，保溫2小時；然后再升溫到1000～1200℃，保溫0.5～3小時后，再升溫到1500℃～1600℃溫度范圍內保溫3～6小時，最后隨爐冷卻，制得ITO靶材。
所述ITO粉的納米級別分為20nm、40?nm、60?nm、80?nm、90?nm，其配料比例可以按照20nm：40nm：90nm=4:2:1，20nm：40nm：80nm=3:2:1或者20nm：40nm：60nm=2:2:1三種配比的任意一種進行配料，IITO粉均為市售的純度在99.995wt%以上。
所述分散劑聚乙二醇（PEG），粘結劑聚乙烯醇(PVA)均為普通市售。
所述高純氧氣的純度在99.9wt%以上。
本發明的優點和積極效果：采用傳統的陶瓷擠出、碾壓及無壓燒結技術，對制備的ITO靶材尺寸限制較小；并能夠利用現有擠出設備及燒結設備，使該技術具有前期投入少的優點。
具體實施方案：
以下結合附圖和實施例對本發明作進一步闡述，但本發明的保護內容不限于所述范圍。
實施例1：
