[發明專利]晶片或晶圓檢測裝置無效
| 申請號: | 201110438777.2 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102569119A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 陳英誠;林亭宏;陳義芳;吳政君;洪肇佑;楊宗翰 | 申請(專利權)人: | 立曄科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 檢測 裝置 | ||
技術領域
本發明有關于一種晶片或晶圓檢測裝置,使得圖像擷取單元可同時對待測晶片或晶圓的表面及側面進行圖像擷取。
背景技術
在晶片或晶圓制造的過程中,往往會伴隨有缺陷或污點的產生,且晶片或晶圓上的缺陷或污點往往會對后續產品的成品率造成影響。因此在完成晶片或晶圓的制作后,通常會進一步對晶片或晶圓進行檢測,以確定晶片或晶圓符合相關的要求。
請參閱圖1,為常用晶片檢測裝置的構造示意圖。如圖所示,常用的晶片檢測裝置10主要包括一承載座11及一圖像擷取單元13,其中承載座11可用以承載一待測的晶片12,并以圖像擷取單元13對承載座11上的待測晶片12的上表面121進行圖像擷取。
圖像擷取單元13可為感光耦合元件(CCD),可將晶片12的圖像儲存成為一數字圖像資料,并可進一步對圖像擷取單元13所擷取的數字圖像資料進行分析及比對。在實際應用時可將擷取晶片12的數字圖像資料與目標晶片圖像資料進行比對,并得知待測晶片12與目標晶片之間的尺寸差異,借以得知待測晶片12是否符合產品要求。
除此之外,也可進一步對擷取晶片12的數字圖像資料進行其他的檢測,例如可由晶片12的數字圖像資料得知待測晶片12上是否有污點的存在,借以判斷待測晶片12的品質。然而以上述晶片檢測裝置10對晶片12進行檢測還是存在部分的缺失,使得晶片12檢測的結果無法符合使用者的要求。
發明內容
本發明的目的,在于提供一種晶片或晶圓檢測裝置,主要在待測區的周圍設置有至少一反射單元,使得圖像擷取單元在擷取晶片或晶圓的表面圖像的同時,也可透過反射單元擷取晶片或晶圓的側面的圖像,借此將有利于提高晶片或晶圓檢測的準確性。
本發明的又一目的,在于提供一種晶片或晶圓檢測裝置,透過至少一反射單元的設置,將可在不增加額外的檢測步驟的前提之下,對晶片或晶圓的表面及側面進行檢測,借以提高晶片或晶圓的檢測效率。
本發明的又一目的,在于提供一種晶片或晶圓檢測裝置,主要于待測區的周圍設置有至少一發光單元,可用以將光源投射在待測區內的晶片或晶圓的側面,借此將更有利于以圖像擷取單元擷取晶片或晶圓的側面的圖像。
本發明的又一目的,在于提供一種晶片或晶圓檢測裝置,主要將至少一反射單元設置于輸送單元的周圍,借此將可在輸送晶片或晶圓的過程當中,對晶片或晶圓的表面及側面進行檢測。
為達上述目的,本發明提供一種晶片或晶圓檢測裝置,包括:一輸送單元,用以進行至少一晶片或至少一晶圓的輸送,且輸送單元包括一檢測區;一圖像擷取單元,位于輸送單元的上方,并用以對位于檢測區內的晶片或晶圓的表面進行圖像擷取;及至少一反射單元,位于輸送單元的周圍,其中圖像擷取單元透過反射單元擷取晶片或晶圓的側面的圖像。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,包括至少一發光單元用以將光源投射在晶片或晶圓的側面。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中發光單元位于輸送單元的檢測區的周圍。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中發光單元的數量與反射單元的數量相同。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中晶片或晶圓的外觀為任意的幾何形狀,而反射單元則形成與晶片或晶圓的形狀相似的環狀構造。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中晶片或晶圓的外觀近似圓形,而反射單元則為圓形的環狀構造。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中晶片或晶圓包括多個側面,且反射單元的數量與晶片或晶圓的側面的數量相同。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中反射單元位于輸送單元的檢測區的周圍。
為達上述目的,本發明還提供另一種晶片或晶圓檢測裝置,包括:一承載座,用以承載至少一晶片或至少一晶圓;一圖像擷取單元,位于承載座的上方,并用以對晶片或晶圓的表面進行圖像擷取;及至少一反射單元,位于承載座的周圍,其中圖像擷取單元透過反射單元擷取晶片或晶圓的側面的圖像。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,包括至少一發光單元用以將光源投射在晶片或晶圓的側面。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中發光單元位于輸送單元的檢測區的周圍。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中發光單元的數量與反射單元的數量相同。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中晶片或晶圓的外觀為任意的幾何形狀,而反射單元則形成與晶片或晶圓的形狀相似的環狀構造。
上述晶片或晶圓檢測裝置的一實施例,其中晶片或晶圓的外觀近似圓形,而反射單元則為圓形的環狀構造。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





