[發明專利]晶片或晶圓檢測裝置無效
| 申請號: | 201110438777.2 | 申請日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102569119A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 陳英誠;林亭宏;陳義芳;吳政君;洪肇佑;楊宗翰 | 申請(專利權)人: | 立曄科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 檢測 裝置 | ||
1.一種晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,包括:
一輸送單元,用以進行至少一晶片或至少一晶圓的輸送,且該輸送單元包括一檢測區;
一圖像擷取單元,位于該輸送單元的上方,并用以對位于該檢測區內的晶片或晶圓的表面進行圖像擷取;及
至少一反射單元,位于該輸送單元的周圍,其中該圖像擷取單元透過該反射單元擷取該晶片或晶圓的側面的圖像。
2.根據權利要求1所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,包括至少一發光單元用以將光源投射在該晶片或該晶圓的側面。
3.根據權利要求2所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該發光單元位于該輸送單元的檢測區的周圍。
4.根據權利要求2所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該發光單元的數量與該反射單元的數量相同。
5.根據權利要求1所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或該晶圓的外觀為任意的幾何形狀,而該反射單元則形成與該晶片或該晶圓的形狀相似的環狀構造。
6.根據權利要求5所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或晶圓的外觀近似圓形,而該反射單元則為圓形的環狀構造。
7.根據權利要求1所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或該晶圓包括多個側面,且該反射單元的數量與該晶片或該晶圓的側面的數量相同。
8.根據權利要求1所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該反射單元位于該輸送單元的檢測區的周圍。
9.一種晶片或晶圓檢測裝置,包括:
一承載座,用以承載至少一晶片或至少一晶圓;
一圖像擷取單元,位于該承載座的上方,并用以對該晶片或該晶圓的表面進行圖像擷取;及
至少一反射單元,位于該承載座的周圍,其中該圖像擷取單元透過該反射單元擷取該晶片或該晶圓的側面的圖像。
10.根據權利要求9所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,包括至少一發光單元用以將光源投射在該晶片或該晶圓的側面。
11.根據權利要求10所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該發光單元位于該輸送單元的檢測區的周圍。
12.根據權利要求10所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該發光單元的數量與該反射單元的數量相同。
13.根據權利要求9所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或該晶圓的外觀為任意的幾何形狀,而該反射單元則形成與該晶片或該晶圓的形狀相似的環狀構造。
14.根據權利要求13所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或晶圓的外觀近似圓形,而該反射單元則為圓形的環狀構造。
15.根據權利要求9所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該晶片或該晶圓包括多個側面,且該反射單元的數量與該晶片或該晶圓的側面的數量相同。
16.根據權利要求9所述的晶片或晶圓檢測裝置,其特征在于,其中該反射單元位于該輸送單元的檢測區的周圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





