[發明專利]晶圓制程中檢測激光標記位置的裝置有效
| 申請號: | 201110437460.7 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN103177981A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 馬小焰;李文仲 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜娟娟;高為 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市中*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓制程中 檢測 激光 標記 位置 裝置 | ||
技術領域
????本發明涉及半導體制造工藝,尤其涉及對晶圓激光標記位置的檢測。
背景技術
大面積的晶圓在晶圓制造工藝中有很高的價值,為了保持精確的可追溯性,需要將多個晶圓區別開從而防止誤操作,激光標記識別號便可以達成這一功能。
常規的激光標記過程是在晶圓缺口(notch)鄰近的位置處利用激光作標記。如果激光標記做到指定位置以外,操作人員無法看清楚標記或在指定位置根本看不到標記,從而影響后續作業;更糟糕的是,如果將激光標記印在了將要設置電路或器件的位置卻沒有發現,繼續在該位置處設置電路或器件便導致這些電路或器件不可用,進而造成廢片。
所以對要進行激光標記位置的確認檢查是不可或缺的。目前對其檢測主要是靠目測。由于個體差異的原因,目測產生誤差的幾率較高。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種用于在晶圓制造過程中檢測激光標記位置的裝置,以有效解決上述及其它問題。該裝置包括第一部分和設置在所述第一部分上的第二部分,所述第二部分自所述第一部分的第一邊緣延伸出預定距離,所述第一邊緣與所述晶圓中與所述激光標記位置相對應的晶圓邊緣部分相匹配。
本發明所述的裝置中,優選地,所述第一邊緣與所述晶圓中距離所述激光標記位置最近的晶圓邊緣部分相匹配。
本發明所述的裝置中,優選地,所述預定距離略大于所述激光標記位置距離所述晶圓邊緣最遠處到所述晶圓邊緣部分的的最小距離。
本發明所述的裝置中,優選地,所述第二部分是由透明材質形成的結構。
本發明所述的裝置中,優選地,所述第二部分設置有刻度。
使用該裝置可有效的避免對激光標記位置的檢測出現偏差。
附圖說明
圖1是根據本發明所述的晶圓制造過程中檢測激光標記位置的裝置的示意圖。
圖2是發明所述裝置的一個示例性的應用。
具體實施方式
現結合附圖進一步說明本發明。本領域技術人員可以理解到,以下只是結合具體的實施方式對本發明的主旨進行說明,并不就此限定本發明。本發明所主張的范圍由所附的權利要求確定,任何不脫離本發明精神的修改、變更都應由本發明的權利要求所涵蓋。
以下以設置標記的位置在晶圓缺口臨近處進行說明,但實際應用中,該標記可設置在晶圓任何位置,并不以此為限制。此外,在本發明的所有示例中,以激光標記為例進行說明,但并不就此限定該標記位置所指代的就是激光標記的位置,或者說該標記只能通過激光形成。
圖1是根據本發明所述的晶圓制造過程中檢測激光標記位置的裝置的示意圖。如圖所示,該裝置包括與晶圓的邊緣相匹配的第一部分10;設置在第一部分上的第二部分20;第二部分20向第一部分10的外部延伸,并突出第一部分的第一邊緣102預定距離;該第一邊緣102至少可與晶圓的部分邊緣相匹配,所述晶圓的部分邊緣指的是晶圓中與將要設置的激光標記的位置相對應的邊緣部分,在此,所述晶圓的部分邊緣即晶圓缺口所在的邊緣部分。本發明的示例中,以圓的晶圓為例進行說明,故該第一邊緣為弧形。但在其他應用中,例如晶圓的形狀不是圓形,則該第一邊緣可以不是弧形,只要可以和相適應的晶圓的邊緣匹配即可。
根據本發明的一個示例,設置晶圓激光標記的位置在晶圓的缺口的鄰近處。在該示例中,缺口的中心位于第一邊緣102的中心與第一邊緣102所對應的圓的圓心的連線上。優選地,第二部分20相對第一邊緣102的中心與第一邊緣102所對應的圓的圓心的連線,對稱設置在第一部分10,且優選第二部分20固定設置在第一部分10上。第二部分的突出于第一部分10外的邊緣200可以是直線,也可以是弧線,在此以直線為例進行說明。在預先設定的激光標記位置距離所述晶圓邊緣最遠處的最小距離為d的情況下,第二部分20突出于第一部分10外的邊緣200距離第一邊緣100的最大距離略為大于該距離d,亦即預定距離略大于該距離d。實際應用中,第二部分20突出于第一部分10外的邊緣200距離第一邊緣100的預定距離以該第二部分可將該激光標記位置覆蓋住為好,并不以在此給出的示例為限,例如如果第二部分的邊緣200是與第一邊緣100相同的弧線,則整個該第二部分20突出于第一部分10外的邊緣200距離第一邊緣100的距離是一致的(即:沒有最大或最小)且略大于該距離d。第二部分20優選為透明材料形成的結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





