[發(fā)明專利]晶圓制程中檢測(cè)激光標(biāo)記位置的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110437460.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103177981A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬小焰;李文仲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜娟娟;高為 |
| 地址: | 214028 江蘇省無(wú)錫市中*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓制程中 檢測(cè) 激光 標(biāo)記 位置 裝置 | ||
1.一種用于在晶圓制造過(guò)程中檢測(cè)激光標(biāo)記位置的裝置,其特征在于,所述裝置包括第一部分和設(shè)置在所述第一部分的第二部分,所述第二部分延伸到所述第一部分之外,并距第一部分的第一邊緣預(yù)定距離,所述第一邊緣與所述晶圓中與所述激光標(biāo)記位置相對(duì)應(yīng)的晶圓邊緣部分相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一邊緣與所述晶圓中距離所述激光標(biāo)記位置最近的晶圓邊緣部分相匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述預(yù)定距離略大于所述激光標(biāo)記位置距離所述晶圓邊緣最遠(yuǎn)處到所述晶圓邊緣部分的最小距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第二部分是由透明材質(zhì)形成的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,?其特征在于,所述第二部分設(shè)置有刻度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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