[發明專利]用于在封裝半導體器件之后提供熔融的方法和系統

有效

• 申請號: 201110437046.6
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102543952B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: J.博伊克;R.拉奇納;T.邁耶;H.謝弗
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 謝攀,盧江

技術領域

本發明大體上涉及在半導體器件中提供熔融（fusing）。特別地，本公開涉及用于在封裝半導體器件之后提供熔融的方法和系統。

背景技術

在一些半導體器件中，放置熔絲以提供特定功能，例如，調整雷達傳感器的頻率。這些熔絲通常是在晶片級測試期間易被激光熔斷的鋁結構。這是因為在器件被封裝之前熔絲被放置在半導體器件中。這影響了整體半導體器件的性能。因此，存在著對用于在封裝半導體器件之后提供熔融的方法和系統的需要。

發明內容

公開了用于在封裝半導體器件之后提供熔融的方法和系統。在一個實施例中，提供了一種半導體器件，其包括：包括熔絲區域的襯底，布置在熔絲區域中的至少一個熔絲，和布置在襯底之上的至少一個層，其中所述至少一個層包括暴露所述至少一個熔絲的至少一個開口。

在可替換的實施例中，所述半導體器件包括布置在襯底內的多個接觸墊，布置在襯底之上且在所述多個接觸墊周圍的至少一個層；和布置在多個墊中的一些之間以形成至少一個熔絲的再分布層。

在又一個可替換的實施例中，半導體器件包括布置在襯底內的多個接觸墊，布置在襯底之上且在所述多個接觸墊周圍的至少一個層，布置在所述多個接觸墊之上以形成至少一個熔絲的再分布層。

在再又一個可替換的實施例中，一種用于提供熔融的方法包括：執行晶片的處理，封裝晶片，執行晶片的電氣性能測試，和在晶片的電氣性能測試之后對晶片執行熔融。

在另一實施例中，提供了一種熔絲設備，其包括：提供在晶片中的熔絲區域，所述熔絲區域包括至少一個開口；布置在所述至少一個開口中的至少一個熔絲；和布置在所述至少一個開口周圍的至少一個層。

附圖說明

圖1示意了根據本公開的一個實施例的用于在封裝半導體器件之后提供熔融的示例性過程的流程圖。

圖2A到2F是示意根據本公開的一個實施例的用于在封裝半導體器件之后提供熔融的過程的圖解。

圖3A是示意根據本公開的一個實施例的在熔融之前的具有一個或多個熔絲的示例性熔絲區域的圖解。

圖3B是示意根據本公開的一個實施例的在熔融之后的具有一個或多個熔絲的示例性熔絲區域的圖解。

圖4A到4F是示意根據本公開的可替換的實施例的用于在封裝半導體器件之后提供熔融的過程的圖解。

圖5A到5C是示意根據本公開的一個實施例的在再分布層中形成的熔絲的圖解。

圖6A到6F是示意根據本公開的可替換的實施例的在封裝半導體器件之后提供熔融的圖解。

圖7A到7C是示意根據本公開的可替換的實施例的在再分布層中形成的熔絲的圖解。

具體實施方式

在以下具體實施方式中，參照附圖，所述附圖形成其一部分，并且其中通過例示來示出其中可以實踐本發明的具體實施例。在這點上，方向性術語，例如頂、底、前、后、首、尾等參照所描述的（一個或多個）附圖的取向來使用。因為實施例的組件能夠以多個不同取向進行定位，所以方向性術語是出于例示目的而使用，并且絕非進行限制。要理解的是，可以利用其他實施例并且可以做出結構或邏輯改變而不偏離本發明的范圍。以下具體實施方式因此不要以限制意義進行理解，并且本發明的范圍由所附權利要求來限定。

要理解的是，在此描述的各種示例性實施例的特征可以彼此結合，除非另外特別指出。

以下描述了具有半導體芯片的器件。半導體芯片可以具有非常不同的類型，可以通過不同的技術來制造，并且可以包括例如集成的電或光電電路或無源元件或MEMS等等。半導體芯片可以被配置為例如功率晶體管、功率二極管、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。半導體芯片可以具有垂直結構并且可以如此制造以使得電流能夠以與半導體芯片的主表面垂直的方向流動。這些半導體芯片可以具有布置在其主表面上的接觸元件，所述主表面包括頂面和底面。具有垂直結構的半導體芯片的示例包括功率晶體管和功率二極管。在功率晶體管的情況下，源電極和柵電極可以被布置第一主表面上而漏電極可以被布置在第二主表面上。在功率二極管的情況下，陽極電極可以被布置第一主表面上而陰極電極可以被布置在第二主表面上。