[發明專利]用于在封裝半導體器件之后提供熔融的方法和系統

有效

• 申請號: 201110437046.6
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102543952B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: J.博伊克;R.拉奇納;T.邁耶;H.謝弗
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 謝攀,盧江

1.一種半導體器件，包括：

包括熔絲區域的襯底；

布置在熔絲區域中的至少一個熔絲；和

布置在襯底之上的至少一個層，其中所述至少一個層包括暴露所述至少一個熔絲的至少一個開口。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述至少一個層包括：

布置在襯底之上的介電層；

布置在介電層的一部分之上且在所述至少一個開口周圍的再分布層；和

布置在再分布層之上和在所述至少一個開口周圍的焊接停止層。

3.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布置在所述至少一個熔絲之上的薄的保護層。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中通過所述至少一個開口除去所述至少一個熔絲的一部分。

5.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布置在所述至少一個熔絲之上的焊接停止層。

6.一種半導體器件，包括：

布置在襯底內的多個接觸墊；

布置在襯底之上且在所述多個接觸墊周圍的至少一個層；和

布置在多個墊中的一些之間以形成至少一個熔絲的再分布層。

7.如權利要求6所述的半導體器件，還包括：

布置在所述至少一個熔絲之上的薄的保護層。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述至少一個層包括：

暴露所述多個接觸墊的至少一個開口；和

布置在襯底之上、在所述至少一個開口周圍的介電層。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述再分布層被布置在所述至少一個開口中。

10.如權利要求6所述的半導體器件，還包括：

布置在所述再分布層之上的焊接停止層。

11.如權利要求6所述的半導體器件，其中再分布層的一部分被除去以斷開所述至少一個熔絲中的一些。

12.一種半導體器件，包括：

布置在襯底內的多個接觸墊；

布置在襯底之上且在所述多個接觸墊周圍的至少一個層；

布置在所述多個接觸墊之上以形成至少一個熔絲的再分布層。

13.如權利要求12所述的半導體器件，還包括：

布置在所述多個接觸墊中的一些之間以接通所述至少一個熔絲的導電層。

14.如權利要求12所述的半導體器件，還包括：

布置在所述至少一個層和導電層之上的焊接停止層。

15.一種用于提供熔融的方法，包括：

執行晶片的處理；

封裝晶片；

執行晶片的電氣性能測試；和

在晶片的電氣性能測試之后對晶片執行熔融。

16.根據權利要求15所述的方法，其中執行晶片的處理包括：

在晶片中提供具有至少一個熔絲的熔絲區域；和

在所述熔絲區域之上提供至少一個開口。

17.如權利要求16所述的方法，其中封裝晶片包括：

在晶片之上、在至少一個開口周圍布置介電層；

在介電層的一部分之上且在所述至少一個開口周圍布置再分布層；和

在再分布層之上且在所述至少一個開口周圍布置焊接停止層。

18.如權利要求16所述的方法，其中對晶片執行熔融包括：

通過所述至少一個開口利用激光斷開至少一個熔絲。

19.如權利要求15所述的方法，其中執行晶片的處理包括：

提供具有多個接觸墊的熔絲區域。

20.如權利要求19所述的方法，其中封裝晶片包括：

在晶片之上、在多個接觸墊周圍布置介電層；

在所述多個接觸墊之間布置再分布層以形成至少一個熔絲；

在所述至少一個熔絲周圍布置焊接停止層以提供至少一個著落墊；和

在著落墊之上布置至少一個導電元件。

21.如權利要求20所述的方法，其中對晶片執行熔融包括：

利用激光除去再分布層的一部分以斷開所述至少一個熔絲。