[發明專利]晶圓的測試方法

有效

• 申請號: 201110436854.0
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102520335A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 王磊;馬松
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/067
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體器件的測試領域，尤其涉及一種晶圓的測試方法。

背景技術

半導體器件的整個制造流程可以分為晶圓制造、晶圓測試、晶圓封裝及最后測試等分步驟。

所述晶圓制造指的是在硅晶圓上制造半導體器件，在完成半導體器件的制造之后，硅晶圓上會形成多個重復的管芯(die)。在晶圓測試步驟中，需要對所述管芯進行電性測試，以確保在封裝之前，硅晶圓上的管芯是合格的產品，因此晶圓測試是提高半導體器件良率的關鍵步驟之一。

通常測試設備包括至少一根探針(probe)，所述探針觸碰到晶圓上的die以進行電性測試，具體地，所述die上通常設置有測試焊點(pad)，所述探針與所述pad需要相互接觸，才能完成電性測試。

現有技術中，晶圓上的die的分布通常是規則排列的，參考圖1，示出了現有技術晶圓一實施例的示意圖，晶圓11上的多個相同的管芯12，所述多個管芯12呈矩陣式排列，多個管芯12在行方向具有一定的排列周期，在列方向也有一定的排列周期。對圖1所示的晶圓11進行測試時，通過移動晶圓11使探針對各個管芯上的pad(圖中未示出)相接觸，以完成整片晶圓11的測試。

隨著半導體技術的發展，為了適應芯片設計人員研發的需要，現有技術中發展了多項目晶圓產品(Multi-Project?Wafer，MPW)，所述MPW產品中包含來自不同客戶、不同部門設計的多種die，所述多種die的尺寸、結構均不相同，而為了充分利用晶圓，晶圓上的多種die通常會統籌安排，因此，晶圓上多種die的排列是不規則的，參考圖2，示出了現有技術晶圓另一實施例的示意圖，所述晶圓20包括多個矩陣式排列的重復單元21，每個重復單元21上包括多種die22，所述多種die22的重復單元21在行方向或列方向均為無規則的排列方式。

而由于晶圓(wafer)的移動方式通常是沿行方向或列方向等間距的移動，這給MPW進行晶圓測試增加了難度。

在公開號為CN101251571A的中國專利申請中也公開了一種晶圓測試方法，但是所述方法沒有給出解決上述問題的技術方案。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種簡單的晶圓測試方法。

為了解決上述問題，本發明提供一種晶圓的測試方法，所述晶圓包括多種管芯，不同種管芯具有不同的排布位置和排布周期，所述測試方法包括：對測試設備進行初始化設置，所述初始化設置包括獲取各管芯在晶圓上的排布位置和排布周期、各管芯的對準圖形；基于所述管芯在晶圓上的排布位置和排布周期獲得測試設備平移晶圓的平移軌跡；將晶圓放置于測試設備中，基于初始位置處的第一管芯的對準圖形對所述第一管芯進行對準；測試設備通過所述第一管芯上的測試焊點進行測試；按照第一管芯的排布周期平移所述晶圓，完成晶圓上所有第一管芯的測試；基于晶圓的平移軌跡移動所述晶圓，基于第二管芯的對準圖形對所述第二管芯進行對準；測試設備通過所述第二管芯上的測試焊點進行測試；按照第二管芯的排布周期平移所述晶圓，完成晶圓上所有第二管芯的測試；繼續平移晶圓、對準、測試，直至完成對所有管芯的測試；將晶圓從測試設備中取出。

可選地，通過不相同的對準圖形對各管芯進行對準。

可選地，通過相同的對準圖形對各管芯進行對準。

可選地，基于晶圓的平移軌跡移動所述晶圓，基于第二管芯的對準圖形對所述第二管芯進行對準的步驟包括：移動所述晶圓至初始位置處，基于初始位置處的第二管芯的對準圖形對所述第二管芯進行對準。

可選地，基于晶圓的平移軌跡移動所述晶圓，基于第二管芯的對準圖形對所述第二管芯進行對準的步驟包括：在完成晶圓上所有第一管芯的測試后，移動所述晶圓至最近的第二管芯的位置處，基于第二管芯的對準圖形對所述第二管芯進行對準。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

1.本發明晶圓測試方法對多項目晶圓產品進行了測試，在整個晶圓測試過程中，無需取出晶圓，簡化了測試過程；

2.本發明晶圓測試方法減少了人工操作的步驟，進一步提高了測試效率。

附圖說明

圖1是現有技術晶圓一實施例的示意圖；

圖2是現有技術晶圓另一實施例的示意圖；

圖3是本發明晶圓測試方法一實施方式的流程示意圖；

圖4是圖3所示晶圓測試方法一實施例的示意圖。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。