[發明專利]光器件晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201110436171.5
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102569057A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 森數洋司;西野曜子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/268
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

技術領域

本發明涉及將光器件晶片的光器件層轉移至移設基板的光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片中，在藍寶石基板、或碳化硅等的外延基板(ェピタキシ一基板)的表面隔著緩沖層層疊由n型半導體層和p型半導體層構成的光器件層，并在由形成為格子狀的多條間隔道劃分出的多個區域形成了發光二極管、激光二極管等光器件。

背景技術

在光器件制造工序中，在大致圓板形狀的藍寶石基板或碳化硅等的外延基板的表面，隔著緩沖層層疊由n型半導體層和p型半導體層構成的光器件層，在光器件層，在由呈格子狀地形成的多條間隔道劃分出的多個區域形成發光二極管、激光二極管等光器件，從而構成光器件晶片。并且，通過將光器件晶片沿間隔道分割來制造出一個一個的光器件(例如，參考專利文獻1)。

此外，作為使光器件的亮度提高的技術，在下述專利文獻2中公開了如下被稱作剝離(lift-off)的制造方法：將隔著緩沖層層疊于構成光器件晶片的藍寶石基板或碳化硅等的外延基板的表面的、由n型半導體層和p型半導體層構成的光器件層，隔著金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等的接合金屬層接合于鉬(Mo)、銅(Cu)、硅(Si)等的移設基板，通過從外延基板的背面側向緩沖層照射激光光線來將外延基板剝離，從而將光器件層轉移至移設基板。

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特表2005-516415號公報

在上述的專利文獻2公開的技術中，在將移設基板與層疊于外延基板的表面的光器件層接合時，加熱到溫度220～300℃，因此由于外延基板與移設基板的線膨脹系數不同，由外延基板和移設基板構成的接合體會發生翹曲。由此，在將外延基板從光器件層剝離時，難以將激光光線的聚光點定位在外延基板與光器件層之間的緩沖層，存在著會使光器件層損傷、或者無法可靠地分解緩沖層從而無法順暢地將外延基板剝離的問題。

發明內容

本發明正是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題為提供一種光器件晶片的加工方法，能夠將層疊在構成光器件晶片的外延基板的表面的光器件層順暢地轉移至移設基板而不會使光器件層受到損傷。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種光器件晶片的加工方法，其為將光器件晶片中的光器件層轉移至移設基板的光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片中，光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的表面，在該光器件層，在由形成為格子狀的多條間隔道劃分出的多個區域形成了光器件，該光器件晶片的加工方法的特征在于，其包括以下工序：移設基板接合工序，在該工序中，將移設基板接合于所述光器件層的表面，其中所述光器件層隔著所述緩沖層層疊在所述外延基板的表面；外延基板分割工序，在該工序中，將接合有所述移設基板的所述外延基板沿所述多條間隔道中的預定的間隔道切斷，將該外延基板分割為多個塊；剝離用激光光線照射工序，在該工序中，在聚光點定位于所述緩沖層的狀態下，從實施過所述外延基板分割工序的所述外延基板的背面側，向光器件晶片與移設基板兩者的接合體照射透射所述外延基板的波長的激光光線，由此來分解所述緩沖層；以及外延基板剝離工序，在該工序中，在實施了所述剝離用激光光線照射工序后，將分割為所述多個塊的外延基板從所述光器件層剝離。

在上述外延基板分割工序中，利用切削刀具將外延基板沿預定的間隔道切斷。或者，在上述外延基板分割工序中，通過向外延基板沿預定的間隔道照射激光光線，來將外延基板沿預定的間隔道切斷。在實施了上述外延基板剝離工序后，實施將接合有光器件層的移設基板沿間隔道切斷的移設基板分割工序。