[發明專利]光器件晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201110436171.5
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102569057A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 森數洋司;西野曜子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/268
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種光器件晶片的加工方法，其為將光器件晶片中的光器件層轉移至移設基板的光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片中，光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的表面，在該光器件層，在由形成為格子狀的多條間隔道劃分出的多個區域形成了光器件，

該光器件晶片的加工方法的特征在于，其包括以下工序：

移設基板接合工序，在該工序中，將移設基板接合于所述光器件層的表面，其中所述光器件層隔著所述緩沖層層疊在所述外延基板的表面；

外延基板分割工序，在該工序中，將接合有所述移設基板的所述外延基板沿所述多條間隔道中的預定的間隔道切斷，將該外延基板分割為多個塊；

剝離用激光光線照射工序，在該工序中，在聚光點定位于所述緩沖層的狀態下，從實施過所述外延基板分割工序的所述外延基板的背面側，向光器件晶片與移設基板兩者的接合體照射透射所述外延基板的波長的激光光線，由此來分解所述緩沖層；以及

外延基板剝離工序，在該工序中，在實施了所述剝離用激光光線照射工序后，將分割為所述多個塊的外延基板從所述光器件層剝離。

2.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，

在所述外延基板分割工序中，利用切削刀具將所述外延基板沿所述預定的間隔道切斷。

3.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，

在上述外延基板分割工序中，通過對所述外延基板沿預定的間隔道照射激光光線，來將所述外延基板沿所述預定的間隔道切斷。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，

在實施了所述外延基板剝離工序后，實施將接合有所述光器件層的所述移設基板沿所述多條間隔道切斷的移設基板分割工序。