[發(fā)明專利]鰭式場效應(yīng)管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110436138.2
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN103177965A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟曉瑩;何其旸
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括氧化層，在所述氧化層表面形成有凸出的鰭部和橫跨在所述鰭部上的柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成柵極側(cè)墻，所述鰭部兩側(cè)形成有鰭部側(cè)墻；

形成保護側(cè)墻，所述保護側(cè)墻的底部表面距離基底表面的距離大于所述鰭部頂部表面距離基底表面的距離；

以所述保護側(cè)墻為掩膜，去除所述鰭部側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述保護側(cè)墻的特征尺寸與柵極側(cè)墻的特征尺寸的比值為1.1～5。

3.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，形成保護側(cè)墻的方法包括：

形成第一犧牲層，所述第一犧牲層完全覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)，鰭部以及未被柵極結(jié)構(gòu)和鰭部覆蓋的氧化層表面；

去除部分所述第一犧牲層，形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的高度不小于所述鰭部的高度且小于柵極結(jié)構(gòu)的高度；

形成位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且覆蓋所述柵極側(cè)墻的保護側(cè)墻。

4.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述鰭部和柵極結(jié)構(gòu)的形成工藝為：光刻、納米壓印(nano-imprint)、DSA、干法刻蝕或者濕法刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述形成的鰭部的特征尺寸為1-8nm。

6.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述柵極側(cè)墻或者鰭部側(cè)墻的材料為：SiO₂、Si₃N₄或者SiON。

7.如權(quán)利要求6所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述柵極側(cè)墻和鰭部側(cè)墻的材料相同。

8.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述柵極側(cè)墻的形成方法包括：

沉積覆蓋所述氧化層，柵極結(jié)構(gòu)以及鰭部的側(cè)墻層；

刻蝕柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的側(cè)墻層，直到所述側(cè)墻層沿垂直于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁方向的厚度達到預(yù)定尺寸；

刻蝕所述覆蓋柵極結(jié)構(gòu)和氧化層的側(cè)墻層，直到柵極結(jié)構(gòu)頂部和氧化層上的側(cè)墻被去除。

9.如權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為：底部抗反射涂層(BARC，bottom?anti-reflective?coating)、先進圖膜(APF，advanced?patterning?film)、SiO₂、Si₃N₄、SiON或者多晶硅。

10.如權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為BARC或者APF。

11.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述保護側(cè)墻的材料為：底部抗反射涂層(BARC，bottom?anti-reflective?coating)、先進圖膜(APF，advanced?patterning?film)、SiO₂、Si₃N₄、SiON或者多晶硅。

12.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述保護側(cè)墻的材料為BARC或者APF。

13.如權(quán)利要求11或者12所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述保護側(cè)墻的材料與第一犧牲層、第二犧牲層的材料不同，與柵極側(cè)墻、鰭部側(cè)墻的材料不同。

14.如權(quán)利要求1所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，還包括：刻蝕去除保護側(cè)墻。

15.如權(quán)利要求3所述的鰭式場效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，去除所述部分第一犧牲層形成第二犧牲層采用的工藝為刻蝕工藝，刻蝕氣體為Cl₂和O₂，刻蝕工藝參數(shù)包括：溫度30-200℃，壓力為1～30個毫大氣壓，Cl₂的流量為10-300sccm，O₂的流量為5-300sccm。