[發(fā)明專利]非易失性存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110435822.9
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102637459A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷川博之;倉盛文章
• 申請（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種非易失性存儲裝置，其包括：

位線，與可電寫入地存儲邏輯值的非易失性的存儲元件連接，被施加大小與存儲在該存儲元件中的邏輯值對應(yīng)的電壓；

充電單元，在進(jìn)行施加于所述位線的電壓的大小與施加于參考電壓線的參考電壓的大小的比較來識別所述邏輯值時(shí)，在該比較前，所述充電單元利用大小與所述參考電壓的大小相當(dāng)?shù)碾妷簩υ撐痪€充電；

電壓生成單元，連接在所述參考電壓線與所述位線之間，并具有在以所述充電單元進(jìn)行充電時(shí)產(chǎn)生耦合電荷的電容負(fù)載，利用該電容負(fù)載生成所述參考電壓線的電壓的大小與所述位線的電壓的大小之差所對應(yīng)的電壓來作為表示所述比較結(jié)果的電壓；以及

電荷吸收單元，吸收上述電容負(fù)載所產(chǎn)生的耦合電荷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中，所述電荷吸收單元生成與所述耦合電荷等量的相反極性的電荷，并利用生成的電荷來吸收該耦合電荷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性存儲裝置，其中，所述電荷吸收單元的結(jié)構(gòu)包括：

場效應(yīng)晶體管，具有連接在所述參考電壓線與所述電容負(fù)載的接點(diǎn)上的柵極端子；

電壓施加單元，在從所述存儲元件進(jìn)行所述邏輯值的讀取開始直到結(jié)束為止的讀取期間內(nèi)，所述電壓施加單元對該場效應(yīng)晶體管的源極端子及漏極端子施加接地電壓，并在該讀取期間以外的期間內(nèi)，所述電壓施加單元對所述源極端子及所述漏極端子施加大小與所述參考電壓的大小相當(dāng)?shù)碾妷骸?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的非易失性存儲裝置，其中，所述電容負(fù)載為多個(gè)場效應(yīng)晶體管串聯(lián)而成的串聯(lián)電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的非易失性存儲裝置，還包括：

放電單元，被插入在所述位線中作為與所述充電單元的接點(diǎn)的充電點(diǎn)和所述存儲元件之間，并進(jìn)行如下動(dòng)作，即在以該充電單元對該位線進(jìn)行充電的充電期間的初期使該位線放電；和

切換單元，被插入在所述位線中的所述充電點(diǎn)和所述放電單元之間，并以在所述初期使該充電點(diǎn)和該放電單元之間的電流路徑成為非導(dǎo)通狀態(tài)，而在所述充電期間的所述初期以外的期間內(nèi)使該電流路徑成為導(dǎo)通狀態(tài)的方式切換所述非導(dǎo)通狀態(tài)和所述導(dǎo)通狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中，所述切換單元具有場效應(yīng)晶體管，通過將該場效應(yīng)晶體管的源極端子與漏極端子之間切換為導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)而切換所述電流路徑的導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)。