[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110435564.4
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN102496672A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛嘉芬
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/50
• 分類號(hào): H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一基座，具有一容置空間；

一LED晶粒，位于該容置空間內(nèi)，且電性連接至該基座；及

一螢光膜，位于該LED晶粒上方且覆蓋該容置空間，該螢光膜包括一樹脂及數(shù)個(gè)螢光顆粒。

2.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該基座為杯狀，且更具有一環(huán)槽，位于該基座的上端且環(huán)繞該容置空間，且該螢光膜位于該環(huán)槽。

3.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該容置空間充滿空氣或一透明膠體。

4.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，更包括至少一導(dǎo)線，電性連接該LED晶粒至該基座。

5.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述螢光顆粒經(jīng)改質(zhì)化而帶有電性，且均勻分布于該樹脂中。

6.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該螢光膜更包括數(shù)個(gè)擴(kuò)散粒子，且所述擴(kuò)散粒子及所述螢光顆粒均勻分布于該樹脂中。

7.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該螢光膜為平面片狀。

8.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

(a)提供一基座，該基座具有一容置空間；

(b)附著一LED晶粒至該基座的該容置空間內(nèi)；

(c)電性連接該LED晶粒至該基座；

(d)提供一螢光膜，該螢光膜包括一樹脂及數(shù)個(gè)螢光顆粒；及

(e)附著該螢光膜至該基座上，以覆蓋該容置空間，且位于該LED晶粒上方。

9.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(a)中，該基座為杯狀，且更具有一環(huán)槽，位于該基座的上端且環(huán)繞該容置空間，且該步驟(e)中該螢光膜附著至該環(huán)槽。

10.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(c)利用至少一導(dǎo)線電性該LED晶粒至該基座。

11.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(c)之后更包括：

(c1)填充一透明膠體于該容置空間；及

(c2)固化該透明膠體。

12.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(d)中所述螢光顆粒經(jīng)改質(zhì)化而帶有電性，且均勻分布于該樹脂中。

13.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(d)中該螢光膜更包括數(shù)個(gè)擴(kuò)散粒子，且所述擴(kuò)散粒子及所述螢光顆粒均勻分布于該樹脂中。

14.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(d)中該螢光膜為平面片狀。

15.如權(quán)利要求8的制造方法，其中該步驟(e)包括；

(e1)置放該螢光膜至該基座上；及

(e2)進(jìn)行一測試步驟，若測試合格，則進(jìn)行結(jié)合步驟，以使該螢光膜附著于該基座上；若測試不合格，則更換另一螢光膜，再進(jìn)行測試。

16.如權(quán)利要求15的制造方法，其中該結(jié)合步驟為一固化步驟。

17.如權(quán)利要求15的制造方法，其中該結(jié)合步驟利用一黏劑將該螢光膜黏合于該基座上。