[發明專利]用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物以及由該環氧樹脂組合物封裝的半導體器件有效
| 申請號: | 201110433432.8 | 申請日: | 2011-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN102558769A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 韓承;凌蕓 | 申請(專利權)人: | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號: | C08L63/04 | 分類號: | C08L63/04;C08L61/06;C08L63/00;C08K13/04;C08K7/18;H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;張英 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 封裝 半導體器件 環氧樹脂 組合 以及 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物以及由該環氧樹脂組合物封裝的半導體器件。更具體地,本發明涉及一種用于封裝半導體器件的包括具有特定結構的環氧樹脂的環氧樹脂組合物,以及由該環氧樹脂組合物封裝的半導體器件。?
背景技術
在半導體領域,通常要求用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物具有約為UL94?V0的阻燃性水平。為了獲得這種程度阻燃性,利用鹵素和無機阻燃劑來制備用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物。尤其是,通常利用溴化環氧樹脂和三氧化銻來制備用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物以確保阻燃性。?
然而,利用含鹵阻燃劑來確保阻燃性的環氧樹脂組合物在燃燒時會產生有毒致癌物,如二噁英或二呋喃。而且,在燃燒時,該含鹵阻燃劑會產生對人體有毒且腐蝕半導體芯片或電線以及引線框架的氣體,如HBr和HCl。?
為了解決這些問題,已經提出了無鹵有機阻燃劑和無鹵無機阻燃劑。對于有機阻燃劑,已研究了包括含磷阻燃劑(如磷腈和磷酸酯)和含氮樹脂的新型阻燃劑。然而,由于含氮樹脂表現出的阻燃性不充足,必須使用超量的樹脂。有機含磷阻燃劑具有優異的阻燃性和良好的熱性能,因此能夠適合于應用到封裝半導體器件的環氧樹脂組合物中。而且,有機含磷阻?燃劑不會產生磷酸和多磷酸。然而,由于無機含磷阻燃劑與水發生反應會形成磷酸和多磷酸并從而使可靠性變差的問題,在半導體工業中限制使用有機含磷阻燃劑。?
另外,雖然已研究了新型無機阻燃劑,如氫氧化鎂或硼酸鋅,但使用這種無機阻燃劑會使環氧樹脂組合物的固化特性變差,并進而又會使成型性變差。?
而且,半導體器件不僅使用由金屬(如銅和鐵)構成的引線框架,而且還使用通過預鍍選自由鎳、鈀、銀和金中的至少一種材料得到的金屬引線框架,對于與這樣的引線框架具有良好粘附性并具有良好可靠性的環氧樹脂組合物的需求日益增加。?
因此,要求用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物在不使用阻燃劑時也能夠確保優異的阻燃性,同時還要求其表現出適合的流動性以及與各種引線框架的良好粘附性和可靠性。?
發明內容
本發明的一個方面提供了一種用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物,該組合物包括環氧樹脂、固化劑、固化促進劑、無機填料、以及填料,其中,該環氧樹脂包括由化學式1表示的芳烴-甲醛樹脂(aromatic?hydrocarbon-formaldehyde?resin)改性的線型酚醛環氧樹脂:?
其中,R1和R2各自獨立地代表氫或C1至C4線型或支化烷基,k的平均值范圍為0至2,以及l的平均值范圍為1至9。?
在一種實施方式中,環氧樹脂組合物中存在的由化學式1表示的環氧樹脂的量可以為1wt%至13wt%。?
在另一種實施方式中,環氧樹脂中存在的由化學式1表示的環氧樹脂的量可以為40wt%或更多。?
在一種實施方式中,環氧樹脂組合物可包含2wt%至15wt%的環氧樹脂、0.5wt%至12wt%的固化劑、0.01wt%至2wt%的固化促進劑、70wt%至95wt%的無機填料、以及0.1wt%至5wt%的添加劑。?
本發明另一方面提供了一種用封裝半導體器件的環氧樹脂組合物封裝的半導體器件。?
具體實施方式
環氧樹脂
根據本發明一個方面的用于封裝半導體器件的環氧樹脂組合物包括環氧樹脂、固化劑、固化催化劑、無機填料、以及添加劑,其中,環氧樹脂包括由化學式1表示的芳烴-甲醛樹脂改性的線型酚醛環氧樹脂:?
其中,R1和R2各自獨立地代表氫或C1至C4線型或支化烷基,k的平均值范圍為0至2,以及l的平均值范圍為1至9。?
特別是,在化學式1中,R1和R2代表甲基,該環氧樹脂則具有由化學式2表示的結構:?
[化學式2]?
其中,k的平均值范圍為0至2,以及l的平均值范圍為1至9。?
在化學式1的環氧樹脂中,R1和R2可位于鄰位、間位或對位。尤其是,化學式1的環氧樹脂可具有由化學式3表示的結構:?
[化學式3]?
其中,k的平均值范圍為0至2,以及l的平均值范圍為1至9。?
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