[發明專利]一種薄膜晶體管基板及其制造方法和液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201110433181.3
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN102543892A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 王俊
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦;丁建春

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，具體而言涉及一種薄膜晶體管(Array)基板及其制造方法和液晶顯示裝置。

背景技術

一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的制作過程主要包含薄膜晶體管數組電路工程(TFT?Array?Engineering)、面板組裝工程(Cell?Engineering)及模塊工程(Module?Engineering)等三個部分，其中薄膜晶體管數組電路工程主要是在玻璃基板上形成矩陣排列的薄膜晶體管電路。

現有技術薄膜晶體管電路需要利用五道光罩制程來完成薄膜晶體管的制作，隨著大尺寸面板需求的增加，用于大尺寸面板的光罩制程的尺寸也隨之增加，大尺寸面板受制于光罩的數量及造價，而無法降低成本。而且，光罩制程中需進行光阻涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、刻蝕及移除光阻等步驟，需花費許多制程時間。

有鑒于此，如何減少光罩制程以及使用的光照的數目，實為目前企業需要努力的目標。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管基板及其制造方法和液晶顯示裝置，以減少光罩制程及所需使用的光罩的數目，簡化基板的制程。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供薄膜晶體管基板的制造方法，包括以下步驟：依序在基體上沉積介電層、第一金屬層以及第一半導體層；利用半曝光(HALF?TONE)技術在第一半導體層上形成厚薄不一的第一光阻層；移除未被第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導體層，并且使對應第一光阻層較薄區域的介電層的表面曝露；移除第一光阻層，并且依序在基體上覆蓋第二半導體層、第一保護層、第二金屬層，第二金屬層用于形成薄膜晶體管和柵極線；在第二金屬層上對應薄膜晶體管和柵極線的位置形成第二光阻層；除一側介電層外，移除掉基體上未被第二光阻層遮蓋區域的所有層體；移除第二光阻層，并在基體上覆蓋第二保護層。

其中，所述利用半曝光技術在第一半導體層上形成厚薄不一的第一光阻層的步驟包括：利用半曝光技術在第一半導體層上形成間隔設置的第一區域的第一光阻層和第二區域的第一光阻層，其中第二區域的第一光阻層厚薄不一。

其中，所述移除未被第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導體層的步驟包括：刻蝕掉未被第一區域、第二區域的第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導體層；進行灰化制程，直至移除位于第二區域的第一光阻層的較薄區域；依次進行干法刻蝕和濕法刻蝕，移除第二區域的未被第一光阻層遮蓋的第一金屬層和第一半導體層，暴露出相應的部分介電層。

其中，所述除一側介電層外，移除掉基體上未被第二光阻層遮蓋區域的所有層體的步驟包括：除一側介電層外，依次經過濕法刻蝕和干式刻蝕移除掉基體上未被第二光阻層遮蓋區域的所有層體。

其中，介電層是氧化銦錫(ITO)玻璃層，第一半導體層是摻入n+雜質的非晶硅層，第二半導體層是非晶硅層，第一保護層和第二保護層均是氮化硅層。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種薄膜晶體管基板，包括：介電層，設置于基體上，包含第一區域介電層和第二區域介電層，第一區域介電層和第二區域介電層之間設置一信道；第一金屬層，設置于介電層上；第一半導體層，設置于第二金屬層上；第二半導體層，設置于第一半導體層和信道上；第一保護層，設置于第二半導體層上；第二金屬層，設置于第二半導體層上；第二保護層，覆蓋第二金屬層以及第二金屬層之外的基體表面。

其中，介電層是氧化銦錫玻璃層。

其中，第一半導體層是摻入n+雜質的非晶硅層，第二半導體層是非晶硅層。

其中，第一保護層和第二保護層均是氮化硅層。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種液晶顯示裝置，包括：平行間隔設置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管基板。

其中，所述薄膜晶體管基板包括：基體；介電層，設置于基體的鄰近彩色濾光片基板的表面上，包含第一區域介電層和第二區域介電層，第一區域介電層和所述第二區域介電層之間設置一信道；第一金屬層，設置于介電層上；第一半導體層，設置于第二金屬層上；第二半導體層，設置于第一半導體層和信道上；第一保護層，設置于第二半導體層上；第二金屬層，設置于第二半導體層上；第二保護層，覆蓋第二金屬層以及第二金屬層之外的基體表面。

本發明的有益效果是：本發明中，只采用半曝光和普通光罩兩道光罩制程，減少了光罩制程的數目，從而大大簡化了薄膜晶體管基板的制程。

附圖說明

圖1是本發明薄膜晶體管基板的制造方法一實施例的流程圖；