[發(fā)明專(zhuān)利]一種薄膜晶體管基板及其制造方法和液晶顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110433181.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102543892A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王俊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/84 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;丁建春 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 及其 制造 方法 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,包括:
依序在基體上沉積介電層、第一金屬層以及第一半導(dǎo)體層;
利用半曝光技術(shù)在所述第一半導(dǎo)體層上形成厚薄不一的第一光阻層;
移除未被所述第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導(dǎo)體層,并且使對(duì)應(yīng)所述第一光阻層較薄區(qū)域的介電層的表面曝露。
移除所述第一光阻層,并且依序在所述基體上覆蓋第二半導(dǎo)體層、第一保護(hù)層、第二金屬層,所述第二金屬層用于形成薄膜晶體管和柵極線(xiàn);
在所述第二金屬層上對(duì)應(yīng)所述薄膜晶體管和柵極線(xiàn)的位置形成第二光阻層;
除一側(cè)介電層外,移除掉所述基體上未被第二光阻層遮蓋的所有層體;
移除所述第二光阻層,并在所述基體上覆蓋第二保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述利用半曝光技術(shù)在第一半導(dǎo)體層上形成厚薄不一的第一光阻層步驟包括:
利用半曝光技術(shù)在第一半導(dǎo)體層上形成間隔設(shè)置的第一區(qū)域的第一光阻層和第二區(qū)域的第一光阻層,其中第二區(qū)域的第一光阻層厚薄不一。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于:
所述移除未被第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導(dǎo)體層的步驟包括:
刻蝕掉未被所述第一區(qū)域、第二區(qū)域的第一光阻層遮蓋的介電層、第一金屬層以及第一半導(dǎo)體層;
進(jìn)行灰化制程,直至移除位于所述第二區(qū)域的第一光阻層的較薄區(qū)域;
依次進(jìn)行干法刻蝕和濕法刻蝕,移除所述第二區(qū)域的未被第一光阻層遮蓋的第一金屬層和第一半導(dǎo)體層,暴露出相應(yīng)的部分介電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述除一側(cè)介電層外,移除掉所述基體上未被第二光阻層遮蓋區(qū)域的所有層體的步驟包括:
除一側(cè)介電層外,依次經(jīng)過(guò)濕法刻蝕和干式刻蝕移除掉所述基體上未被第二光阻層遮蓋區(qū)域的所有層體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:
所述介電層是氧化銦錫玻璃層,所述第一半導(dǎo)體層是摻入n+雜質(zhì)的非晶硅層,所述第二半導(dǎo)體層是非晶硅層,所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層均是氮化硅層。
6.一種薄膜晶體管基板,其特征在于,包括:
介電層,設(shè)置于基體上,包含第一區(qū)域介電層和第二區(qū)域介電層,所述第一區(qū)域介電層和所述第二區(qū)域介電層之間設(shè)置一信道;
第一金屬層,設(shè)置于所述介電層上;
第一半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述第二金屬層上;
第二半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層和信道上;
第一保護(hù)層,設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上;
第二金屬層,設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上;
第二保護(hù)層,覆蓋所述第二金屬層以及第二金屬層之外的基體表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板,其特征在于:
所述介電層是氧化銦錫玻璃層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板,其特征在于:
所述第一半導(dǎo)體層是摻入n+雜質(zhì)的非晶硅層,所述第二半導(dǎo)體層是非晶硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板,其特征在于:
所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層均是氮化硅層。
10.一種液晶顯示裝置,包括平行間隔設(shè)置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管基板,其特征在于,所述薄膜晶體管基板包括:
基體;
介電層,設(shè)置于基體的鄰近彩色濾光片基板的表面上,包含第一區(qū)域介電層和第二區(qū)域介電層,所述第一區(qū)域介電層和所述第二區(qū)域介電層之間設(shè)置一信道;
第一金屬層,設(shè)置于所述介電層上;
第一半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述第二金屬層上;
第二半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層和信道上;
第一保護(hù)層,設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上;
第二金屬層,設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上;
第二保護(hù)層,覆蓋所述第二金屬層以及第二金屬層之外的基體表面。
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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