[發(fā)明專利]一種加厚壓焊塊的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110432344.6
• 申請(qǐng)日: 2011-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103177973A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王焜;潘光燃;張立榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種加厚壓焊塊的制作方法。

背景技術(shù)

在芯片封裝工藝發(fā)展的歷程中，銅線因具有電阻率低、熱導(dǎo)率低、高溫下穩(wěn)定性好和成本低等特點(diǎn)，正逐步取代金線和鋁線作為主要的Bonding(鍵合)線材。但其在高溫易氧化且硬度比較高，在封裝打線的過(guò)程中容易將壓焊塊打穿(如圖1所示)，所以采用銅線作為封裝材料的同時(shí)，對(duì)芯片壓焊塊金屬層厚度也提出了更高的要求。現(xiàn)有的芯片制造工藝中，金屬層厚度不能很好的滿足銅線封裝工藝。

在現(xiàn)有技術(shù)中，壓焊塊加厚的做法如下：

第一步，刻蝕第一金屬層，目的是刻蝕出金屬走線和金屬熔絲及壓焊塊(參見(jiàn)圖2)；

第二步，鈍化層刻蝕，目的是刻蝕出壓焊塊窗口和金屬熔絲窗口，壓焊塊窗口用于后續(xù)的封裝打線，熔絲窗口用于后續(xù)燒調(diào)時(shí)生成物的揮發(fā)(請(qǐng)參考圖3)；

第二步，加厚的第二金屬層的生長(zhǎng)(請(qǐng)參考圖4)；

第三步，加厚的第二金屬層的光刻及刻蝕(請(qǐng)參考圖5)。

本發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在上述的技術(shù)方案中，在進(jìn)行金層加厚前，鈍化層上壓焊塊、熔絲的窗口已經(jīng)刻蝕開(kāi)(如圖3、圖4所示)，會(huì)影響后續(xù)對(duì)加厚的金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，會(huì)通過(guò)鈍化層上打開(kāi)的熔絲窗口，將金屬熔絲腐蝕掉。

另外，對(duì)帶有金屬熔絲窗口的芯片，為滿足后續(xù)測(cè)試時(shí)可以更快的燒斷熔絲，一般金屬熔絲都做得很窄，在加厚壓焊塊金屬厚度的同時(shí)保護(hù)金屬熔絲不被破壞，這對(duì)芯片制造工藝提出了新的要求，芯片制造工藝必須進(jìn)行優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種加厚壓焊塊的制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在加厚壓焊塊的金屬層厚度時(shí)金屬熔絲容易被毀壞的問(wèn)題。

本發(fā)明提供的加厚壓焊塊的制作方法，應(yīng)用于一待處理芯片，所述方法包括：在所述待處理芯片的第一鈍化層上開(kāi)與所述待處理芯片包含的至少兩個(gè)第一壓焊塊位置對(duì)應(yīng)的至少兩個(gè)第一窗口；在所述至少兩個(gè)第一壓焊塊上形成至少兩個(gè)第二壓焊塊；以及在所述第一鈍化層上的第二鈍化層和所述第一鈍化層上開(kāi)至少一個(gè)第二窗口，所述至少一個(gè)第二窗口中的每個(gè)第二窗口分別位于所述至少兩個(gè)第二壓焊塊中的每?jī)蓚€(gè)第二壓焊塊之間。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)第一窗口分別垂直對(duì)應(yīng)所述至少兩個(gè)第一壓焊塊。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)第一窗口的數(shù)量與所述至少兩個(gè)第一壓焊塊的數(shù)量相同。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)第二壓焊塊的數(shù)量與所述至少兩個(gè)第一壓焊塊的數(shù)量相同。

優(yōu)選地，每個(gè)所述至少兩個(gè)第二壓焊塊的寬度分別與每個(gè)所述至少兩個(gè)第一窗口的寬度相同。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)第二壓焊塊分別垂直對(duì)應(yīng)所述至少兩個(gè)第一壓焊塊。

優(yōu)選地，所述至少一個(gè)第二窗口中的每個(gè)第二窗口的底面分別為所述待處理芯片包含的至少一根金屬熔絲中每個(gè)金屬熔絲的上表面。

優(yōu)選地，所述在所述至少兩個(gè)第一壓焊塊上形成至少兩個(gè)第二壓焊塊具體為采用濕法刻蝕。

優(yōu)選地，所述第一鈍化層的上表面位于不同的水平面上。

優(yōu)選地，所述第一鈍化層的厚度大于等于所述至少兩個(gè)第一壓焊塊的每個(gè)第一壓焊塊的厚度。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明一實(shí)施例采用將鈍化層淀積分為兩次工藝進(jìn)行，保證在原鈍化層厚度不變的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了同時(shí)達(dá)到壓焊塊區(qū)域金屬加厚和保留金屬熔絲窗口的效果，而且進(jìn)一步可以使得在加厚壓焊塊的時(shí)候不會(huì)毀壞金屬熔絲，另外，還可以實(shí)現(xiàn)和現(xiàn)有技術(shù)中的鈍化層一樣的厚度。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中壓焊塊被打穿的示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)第一金屬層刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)鈍化層刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為現(xiàn)有技術(shù)中第二金屬層生長(zhǎng)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)第二金屬層刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中待處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例中壓焊塊的制作方法的流程圖；

圖8a為本發(fā)明一實(shí)施例中形成第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為本發(fā)明另一實(shí)施例中形成第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9a為本發(fā)明一實(shí)施例中刻蝕第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為本發(fā)明另一實(shí)施例中刻蝕第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10a為本發(fā)明一實(shí)施例中形成第三金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10b為本發(fā)明另一實(shí)施例中形成第三金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；