[發明專利]一種加厚壓焊塊的制作方法有效
| 申請號： | 201110432344.6 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN103177973A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 王焜;潘光燃;張立榮 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 加厚 壓焊塊 制作方法 | ||
1.一種加厚壓焊塊的制作方法，應用在一待處理芯片中，其特征在于，所述方法包括：
在所述待處理芯片的第一鈍化層上開與所述待處理芯片包含的至少兩個第一壓焊塊位置對應的至少兩個第一窗口；
在所述至少兩個第一壓焊塊上形成至少兩個第二壓焊塊；以及
在所述第一鈍化層上的第二鈍化層和所述第一鈍化層上開至少一個第二窗口，所述至少一個第二窗口中的每個第二窗口分別位于所述至少兩個第二壓焊塊中的每兩個第二壓焊塊之間。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少兩個第一窗口分別垂直對應所述至少兩個第一壓焊塊。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少兩個第一窗口的數量與所述至少兩個第一壓焊塊的數量相同。
4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少兩個第二壓焊塊的數量與所述至少兩個第一壓焊塊的數量相同。
5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，每個所述至少兩個第二壓焊塊的寬度分別與每個所述至少兩個第一窗口的寬度相同。
6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少兩個第二壓焊塊分別垂直對應所述至少兩個第一壓焊塊。
7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少一個第二窗口中的每個第二窗口的底面分別為所述待處理芯片包含的至少一根金屬熔絲中每個金屬熔絲的上表面。
8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述至少兩個第一壓焊塊上形成至少兩個第二壓焊塊具體為采用濕法刻蝕。
9.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層的上表面位于不同的水平面上。
10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度大于等于所述至少兩個第一壓焊塊的每個第一壓焊塊的厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
