[發明專利]半導體器件制造方法

無效

• 申請號: 201110431858.X
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN103178010A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 陳振興;葉彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/285
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種半導體器件制造方法，包括：

提供半導體器件襯底，在所述襯底上形成有柵極結構；

在所述半導體器件表面沉積至少1層結構的薄膜，所述薄膜厚度為1～6nm；

對所述半導體器件進行HALO、LDD注入或者SD注入。

2.根據權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于：所述薄膜的材料為氧化硅和/或氮化硅。

3.根據權利要求2所述半導體器件制造方法，其特征在于：所述薄膜的沉積采用化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積或者原子層沉積方法。

4.根據權利要求3所述半導體器件制造方法，其特征在于，采用化學氣相沉積的制備參數為：制備溫度300～600℃，制備腔室氣壓30～600torr，制備時間5～80s，工藝氣體采用SiH₄作為氧化硅和氮化硅的硅氣源，采用N₂和/或NH₃作為氮化物氣源，采用N₂O作為氧化物氣源，所述SiH₄流量為60～5000sccm，N₂流量為1000～5000sccm，NH₃流量為50～1000sccm，N₂O流量為1000～5000sccm。

5.根據權利要求3所述半導體器件制造方法，其特征在于，采用低壓化學氣相沉積的制備參數為：制備溫度300～600℃，制備腔室氣壓0.1～10torr，制備時間30～600s，工藝氣體采用SiH₂Cl₂作為氮化硅的硅氣源，采用NH₃作為氮化物氣源，采用硅酸乙酯TEOS作為氧化硅的硅氣源，采用O₂和/或N₂O作為氧化物氣源，所述SiH₂Cl₂流量為30～500sccm，NH₃流量為100～5000sccm，TEOS流量為30～500sccm，O₂、N₂O流量為5～1000sccm。

6.根據權利要求3所述半導體器件制造方法，其特征在于，采用原子層沉積的制備參數為：制備溫度300～600℃，制備腔室氣壓0.1～10Torr，制備時間30～600s，工藝氣體采用SiH₂Cl₂作為氧化硅和氮化硅的硅氣源，采用NH₃作為氮化物氣源，采用TEOS作為氧化硅的硅氣源，采用O₂和/或N₂O作為氧化物氣源，所述SiH₂Cl₂流量為30～500sccm，NH₃流量為100～5000sccm，TEOS流量為30～500sccm，O₂、N₂O流量為5～1000sccm。