[發明專利]處理多孔超低介電常數層的方法

有效

• 申請號: 201110431560.9
• 申請日: 2011-12-21
• 公開（公告）號: CN103178001A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.處理多孔超低介電常數層的方法，該方法包括：

在反應腔內提供半導體器件，所述半導體器件的表面具有多孔超低介電常數層，所述反應腔內的溫度為300-400℃，壓力為80-300巴；

向所述反應腔內通入CO₂超臨界流體溶液，所述溶液中溶解有四甲基二乙烯基二硅氮烷；

使所述溶液與所述多孔超低介電常數層接觸。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述多孔超低介電常數層為摻碳二氧化硅層。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述多孔超低介電常數層的孔隙率為20%-24%。

4.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述多孔超低介電常數層是經過氟碳化合物等離子體干法刻蝕及原位H₂灰化的多孔超低介電常數層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述CO₂超臨界流體溶液是通過設置于所述反應腔之外的設備單獨制得的。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述溶液與所述多孔超低介電常數層的接觸時間為1秒至1分鐘。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述溶液與所述多孔超低介電常數層的接觸時間為1至5秒。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述溶液中CO₂與四甲基二乙烯基二硅氮烷的體積比為2:?1至50:?1。