[發明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201110431456.X
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN103177962A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 涂火金;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括半導體襯底、位于所述半導體襯底表面的柵極結構、以及位于所述柵極結構兩側的半導體襯底內的開口；

采用氫氣和具有還原能力的物質對所述基底進行預處理；

所述預處理后，在所述開口內形成應力襯墊層。

2.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述具有還原能力的物質為Ge₅H₁₀、Ge₄H₁₀、Ge₃H₈、Ge₂H₆、Si₅H₁₀、Si₄H₁₀、Si₃H₁₀、Si₂H₆中的一種。

3.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，當所述具有還原能力的物質為液態時，還包括：加熱所述具有還原能力的物質，使所述具有還原能力的物質變為氣態。

4.如權利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：將氫氣通入液態的具有還原能力的物質中，氫氣和氣態的具有還原能力的物質到達基底表面對所述基底進行預處理。

5.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述預處理的工藝參數范圍為：氫氣的流量為30slm-50slm，氣態時的具有還原能力的物質的流量為10sccm-100sccm，溫度為650℃-800℃，預處理腔室壓力為10Torr-100Torr。

6.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應力襯墊層的材料為SiGe或SiC。

7.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應力襯墊層的形成工藝為選擇性外延生長工藝。

8.如權利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長工藝采用的反應物包括：SiH₄、GeH₄、HCl、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、H₂和B₂H₆，或者SiH₂Cl₂、GeH₄、HCl、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂、H₂和B₂H₆。

9.如權利要求8所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長工藝的工藝參數范圍為：溫度為500℃-800℃，壓強為1Torr-100Torr，氫氣的流量為0.1slm-50slm，SiH₄、GeH₄、HCl、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂和B₂H₆的流量為1sccm-1000sccm；或者溫度為500℃-800℃，壓強為1Torr-100Torr，氫氣的流量為0.1slm-50slm，SiH₂Cl₂、GeH₄、HCl、CH₄、CH₃Cl、CH₂Cl₂和B₂H₆的流量為1sccm-1000sccm。