[發明專利]高純鉭靶材的制備方法和高純鉭靶材有效
| 申請號： | 201110430596.5 | 申請日： | 2011-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN102517550A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;陳勇軍 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市余姚*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高純 鉭靶材 制備 方法 | ||
1.一種高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，包括：
對高純鉭錠進行鍛造，然后進行第一熱處理，所述第一熱處理溫度為1290℃～1350℃，依次進行所述鍛造和第一熱處理，總共進行三次；
最后一次第一熱處理之后，對高純鉭錠進行預熱，然后進行壓延，形成鉭靶坯；
對所述鉭靶坯進行第二熱處理。
2.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一熱處理每次持續的時間為2小時。
3.如權利要求2所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一熱處理溫度為1320℃。
4.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二熱處理溫度為1100℃，持續時間為2小時。
5.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述預熱的溫度為800℃～1200℃。
6.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述預熱的溫度為1000℃。
7.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，進行鍛造之前所述高純鉭錠的直徑為150mm～200mm。
8.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，每次鍛造的變形率在60％以上。
9.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述鉭靶坯的厚度為8mm～10mm。
10.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，進行所述第二熱處理前將鉭靶坯冷卻到室溫。
11.一種高純鉭靶材，其特征在于，所述鉭靶材的純度在4N以上，晶粒大小小于120μm，排列取向為(100)的晶粒所占比例為60％以上。
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