[發(fā)明專利]一種用于處理直接合成有機氯硅烷中的液體殘余物的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110430197.9 | 申請日： | 2011-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN102558214A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | G·塔梅;K·毛特納;W·蓋斯勒 | 申請（專利權(quán)）人： | 瓦克化學股份公司 |
| 主分類號： | C07F7/12 | 分類號： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 處理 直接 合成 有機 硅烷 中的 液體 殘余物 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.熱裂解直接Müller-Rochow合成中的高沸點殘余物的方法，所述方法是在無鋁的含有二氧化硅的顆粒的流化床中用氯化氫熱裂解直接Müller-Rochow合成中的高沸點殘余物以得到硅烷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通式為RcCl6-cSi2的乙硅烷被裂解，其中c＝0-6，R＝烷基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述無鋁的含有二氧化硅的顆粒選自石英、陶瓷和酸洗的煅燒砂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的方法，其中所述顆粒的粒徑為50μm-1000μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一所述的方法，其中所述方法在400-650℃的溫度下進行。
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