[發明專利]一種非揮發性存儲器低壓快速窄注入編程方法

無效

• 申請號: 201110428732.7
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN102411991A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 閆鋒;吳春波;徐躍;紀曉麗
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.非揮發性存儲器低壓快速窄注入編程方法，其特征是編程步驟分為兩階段，在第一段中，襯底0、源極1以及柵極3都是接地，漏極Vd2接較小的負偏壓-1~-2V，脈沖持續時間為T1為100ns~1μs；在第二階段中，在柵極加上電壓Vg3??4.2~5V，漏極加上電壓Vd3???2.7~4.5V，源極接地，襯底接電壓Vb3??0.5~1.5V，脈沖時間為T2?<5μs；在第二階段編程過程中襯底加正偏電壓Vb3，是為了抑制空穴在向襯底運動中產生的二次電離，減小電子注入到電荷存儲層的范圍。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器低壓快速窄注入編程方法，其特征是編程過程應用電荷俘獲型存儲器件或應用在浮柵結構的存儲器件。