[發(fā)明專利]像素陣列基底結(jié)構(gòu)、其制造方法、顯示設(shè)備和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110428133.5
• 申請(qǐng)日: 2011-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN102569308A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永澤耕一;玉置昌哉;林宗治;加邊正章;福永容子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 周少杰

1.一種像素陣列基底結(jié)構(gòu)，包括：

順序堆疊在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成電路單元；以及

在第一和第二平面化膜之間形成的中繼配線，

其中中繼配線將第一接觸部分電連接到第二接觸部分，第一接觸部分形成在第一平面化膜上并且連接到電路單元，第二接觸部分形成在第二平面化膜上、當(dāng)從上面觀看時(shí)不同于第一接觸部分的位置。

2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中布置第二接觸部分的位置相對(duì)于布置第一接觸部分的位置適當(dāng)設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中電路單元包括保持每個(gè)像素中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。

4.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中第二接觸部分電連接到在第二平面化膜上形成的像素電極，并且

像素電極是反射電極。

5.如權(quán)利要求4所述的像素陣列基底，

其中電路單元包括驅(qū)動(dòng)電路，其通過第一接觸部分、中繼配線以及第二接觸部分驅(qū)動(dòng)像素電極。

6.如權(quán)利要求4所述的像素陣列基底，

其中像素電極劃分為多個(gè)電極。

7.如權(quán)利要求6所述的像素陣列基底，

其中多個(gè)電極通過使用電極面積的組合顯示灰度。

8.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中第二接觸部分的接觸孔以矩形形狀形成。

9.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中在第二接觸部分的接觸孔中，具有3°或更大傾角的區(qū)域在距接觸孔的底部端1μm內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，

其中第二平面化膜的材料的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高于顯影第二平面化膜之后第二平面化膜的烘烤溫度。

11.如權(quán)利要求10所述的像素陣列基底，

其中第二平面化膜的材料具有比第一平面化膜的材料的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)更高的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)。

12.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基底，其中中繼配線包括連接在第一接觸部分和第二接觸部分之間的至少兩條配線。

13.一種制造像素陣列基底結(jié)構(gòu)的方法，該像素陣列基底結(jié)構(gòu)包括順序堆疊在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成電路單元；以及在第一和第二平面化膜之間形成的中繼配線，其中中繼配線將第一接觸部分電連接到第二接觸部分，第一接觸部分形成在第一平面化膜上并且連接到電路單元，第二接觸部分形成在第二平面化膜上、當(dāng)從上面觀看時(shí)不同于第一接觸部分的位置，該方法包括：

設(shè)置第二平面化膜的材料的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高于顯影第二平面化膜之后第二平面化膜的烘烤溫度。

14.如權(quán)利要求13所述的制造像素陣列基底結(jié)構(gòu)的方法，

其中具有比第一平面化膜的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)更高的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料用于第二平面化膜的材料。

15.一種具有像素陣列基底結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備，該像素陣列基底結(jié)構(gòu)包括：順序堆疊在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成電路單元；以及在第一和第二平面化膜之間形成的中繼配線，其中中繼配線將第一接觸部分電連接到第二接觸部分，第一接觸部分形成在第一平面化膜上并且連接到電路單元，第二接觸部分形成在第二平面化膜上、當(dāng)從上面觀看時(shí)不同于第一接觸部分的位置。

16.一種包括具有像素陣列基底結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備的電子裝置，該像素陣列基底結(jié)構(gòu)包括：順序堆疊在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成電路單元；以及在第一和第二平面化膜之間形成的中繼配線，其中中繼配線將第一接觸部分電連接到第二接觸部分，第一接觸部分形成在第一平面化膜上并且連接到電路單元，第二接觸部分形成在第二平面化膜上、當(dāng)從上面觀看時(shí)不同于第一接觸部分的位置。