[發明專利]發光器件、發光器件封裝和照明系統

有效

• 申請號: 201110427792.7
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102569590A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 金省均;羅珉圭;朱炫承
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

本申請要求2010年12月20日在韓國知識產權局提交的韓國申請10-2010-0130767的優先權，通過引用將其公開內容并入本文。

技術領域

實施方案涉及發光器件、發光器件封裝和照明系統。

背景技術

發光二極管(LED)是利用化合物半導體的特性將電能轉化為紅外光、可見光或其它波長的光的器件，并通常用于家用電器、遙控器、電子指示板、指示器、其它自動化儀器等，并日益用于廣泛的用途。

小的LED通常以表面安裝器件(SMD)類型制造以直接安裝在印刷電路板(PCB)上，并因此也以這種SMD形式開發用作顯示器件的LED燈。該SMD可以替代簡單的照明燈，并用于發出不同的顏色的照明指示器、文本顯示器、圖像顯示器等。

隨著LED日益增加的應用，用于日常生活的電燈、求救信號燈等要求更高的亮度。因此，提高LED的亮度很重要。

發明內容

本實施方案提供具有改善的發光效率的發光器件、以及包括其的發光器件封裝，所述發光器件具有在電極底部上提供的插入元件。

根據一個實施方案，提供一種發光器件，包括：基板；發光結構，所述發光結構包括：第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及在第一和第二半導體層之間形成的有源層；在發光結構上設置的透光電極層；在發光結構上提供的電極，所述電極包括：墊電極以及與該墊電極連接并在至少一個方向上延伸的指電極；和位于指電極與第二導電半導體層之間的插入元件，其中插入元件的至少一部分和第二電極在垂直方向上交疊。

插入元件構造為改變由有源層發射的光的路徑。

插入元件構造為反射由有源層發射的光。

插入元件構造為折射由有源層發射的光。

插入元件可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni中的至少一種。

透光電極層可以包括選自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga?ZnO)、IGZO(In-Ga?ZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一種。

插入元件可以和第二導電半導體層接觸。

插入元件可以和第二導電半導體層間隔開。

插入元件的至少一部分可具有曲率。

插入元件的寬度可以為2微米至2.5毫米。

插入元件的厚度可以為至5微米。

插入元件還可包括延伸部，該延伸部可以形成為使得該延伸部的至少一部分與墊電極層在垂直方向上交疊。

延伸部的面積可以大于墊電極的面積。

在指電極和插入元件之間還可以提供透光絕緣層。

透光絕緣層可以包括SiO₂或Al₂O₃。

插入元件可以形成為使得插入元件的至少一部分和透光絕緣層接觸。

插入元件可以包括不平整結構，該不平整結構可以在和透光絕緣層接觸的區域中形成。

插入元件可以包括反射率為30％或更大的材料。

插入元件可以具有在電極的橫向上延伸的區域。

插入元件可以包括具有不同反射率的第一層和第二層。

附圖說明

通過結合附圖的以下詳述，可以更清楚地理解本實施方案的上述和其它特征與其它優點，其中：

圖1是顯示根據一個實施方案的發光器件的頂部透視圖；

圖2是沿圖1中所示發光器件的線A-A’截取的橫截面圖；

圖3是沿圖1中所示發光器件的線B-B’截取的橫截面圖；

圖4是沿圖1中所示發光器件的線B-B’截取的橫截面圖；

圖5是沿圖1中所示發光器件的線B-B’截取的橫截面圖；

圖6是沿圖1中所示發光器件的線B-B’截取的橫截面圖；

圖7是沿圖1中所示發光器件的線A-A’截取的橫截面圖；

圖8是顯示根據一個實施方案的發光器件的平面圖；

圖9是沿圖8中所示發光器件的線A-A’截取的橫截面圖；

圖10是顯示根據一個實施方案的發光器件的橫截面圖；

圖11是顯示根據一個實施方案的發光器件的橫截面圖；