[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110427792.7 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102569590A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金省均;羅珉圭;朱炫承 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/46 | 分類號(hào)： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;董文國(guó) |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 封裝 照明 系統(tǒng) | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
基板；
在所述基板上提供的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、以及置于所述第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上設(shè)置的透光電極層；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上提供的電極，所述電極包括：墊電極以及與所述墊電極連接并在至少一個(gè)方向上延伸的指電極；和
在所述電極和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間提供的插入元件，
其中所述插入元件形成為使得所述插入元件的至少一個(gè)區(qū)域和所述指電極在垂直方向上交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件構(gòu)造為改變由所述有源層發(fā)射的光的路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件構(gòu)造為反射由所述有源層發(fā)射的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件構(gòu)造為折射由所述有源層發(fā)射的光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Cu、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述透光電極層包括選自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga?ZnO)、IGZO(In-Ga?ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層間隔開。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件在其至少一個(gè)區(qū)域上具有曲率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件的寬度為2微米至2.5毫米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件的厚度為至5微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件包括延伸部，所述延伸部具有與所述墊電極在垂直方向上交疊的至少一個(gè)區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述延伸部的面積大于所述墊電極的面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括在所述指電極和所述插入元件之間提供的透光絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述透光絕緣層包括SiO2或Al2O3。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件形成為使得其至少一個(gè)區(qū)域和所述透光絕緣層接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件包括不平整結(jié)構(gòu)，所述不平整結(jié)構(gòu)在和透光絕緣層接觸的區(qū)域中形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件包括反光率為30％或更高的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件具有在所述電極的橫向上延伸的區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述插入元件包括具有不同反射率的第一和第二層。
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