[發明專利]制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110427771.5
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN103165436A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王冬江;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

a)提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介電層，所述介電層中形成有金屬填充插塞；

b)在所述介電層上形成具有開口的光刻膠層，所述開口對應所述介電層中未形成有所述金屬填充插塞的部分；

c)執行光刻膠回流工藝，以縮小所述開口的尺寸；

d)以所述光刻膠層為掩膜對所述介電層進行干法刻蝕，以在介電層中形成間隙；以及

e)執行濕法刻蝕，以擴大所述間隙的內部空間。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述b)之前還包括在所述介電層上形成阻擋層的步驟。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化物和/或碳氮硅化合物。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為150-500埃。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠回流工藝為對所述光刻膠層進行烘烤。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述烘烤的時間為1分鐘至5小時。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述烘烤的溫度為80-500℃。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述d)步驟之后還包括去除所述光刻膠層的步驟。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟e)之后，還包括形成無孔介電層的步驟。