[發明專利]制備降冰片烯單體組合物的方法、由其制備的降冰片烯聚合物、包含該降冰片烯聚合物的光學膜以及制備該降冰片烯聚合物的方法有效
| 申請號： | 201110427497.1 | 申請日： | 2007-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN102585069A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 崔大勝;鄭惠英;洪性敦;李貞旼;李熹溱;全成浩 | 申請（專利權）人： | LG化學株式會社 |
| 主分類號： | C08F132/08 | 分類號： | C08F132/08;C08F232/08;G02B1/04 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;司麗春 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 冰片 單體 組合 方法 聚合物 包含 光學 以及 | ||
1.一種降冰片烯聚合物，其包含：
重復單元，該重復單元由通式2所表示且包含含量為50mol％或以上的外型異構體：
<通式2>
其中，m為0～4的整數，n為0～10的整數，并且R為含有1～20個碳原子的烷基。
2.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，n為0并且在所述重復單元中外型異構體的含量為50～100mol％。
3.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，n為1～10的整數，并且在所述重復單元中外型異構體的含量為50～90mol％。
4.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，聚合度范圍為10～20,000。
5.根據權利要求4所述的降冰片烯聚合物，其中，所述聚合度范圍為10～10,000。
6.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，所述降冰片烯聚合物為包含選自通式2所表示的化合物中的一種重復單元的均聚物。
7.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，所述降冰片烯聚合物為包含選自通式2所表示的化合物中的至少兩種重復單元的共聚物。
8.根據權利要求1所述的降冰片烯聚合物，其中，所述降冰片烯聚合物為共聚物并且進一步包括通式3的極性降冰片烯重復單元：
<通式3>
其中，m為0～4的整數，
R1a、R2a、R3a和R4a中的至少一個為包含選自由氧、氮、磷、硫、硅和硼組成的組中的至少一種原子的極性官能團，并且
不為極性官能團的R1a、R2a、R3a和R4a各自獨立為氫；鹵素；含有1～20個碳原子的直鏈或支鏈的烷基、鏈烯基或乙烯基；經烴取代或未取代的且含有5～12個碳原子的環烷基；經烴取代或未取代的且含有6～40個碳原子的芳基；經烴取代或未取代的且含有7～15個碳原子的芳烷基；含有3～20個碳原子的炔基；含有1～20個碳原子的直鏈或支鏈的鹵代烷基、鹵代鏈烯基或鹵代乙烯基；經烴取代或未取代的且含有5～12個碳原子的鹵代環烷基；經烴取代或未取代的且含有6～40個碳原子的鹵代芳基；經烴取代或未取代的且含有7～15個碳原子的鹵代芳烷基；含有3～20個碳原子的鹵代炔基；通過鍵合R1a和R2a或者R3a和R4a形成的且含有1～10個碳原子的亞烷基；通過將R1a或R2a鍵合到R3a和R4a中任一個上形成的且含有4～12個碳原子的飽和或不飽和的環基；或者含有6～24個碳原子的芳香族環狀化合物。
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