[發(fā)明專利]具有保護(hù)膜層的鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110427129.7
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN102529210A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林嘉宏
• 申請（專利權(quán)）人: 林嘉宏
• 主分類號(hào): B32B9/04
• 分類號(hào): B32B9/04;B32B15/04;B32B17/00;C03C17/36;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/28
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及玻璃深加工中的鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種具有保護(hù)膜層的鍍膜玻璃及其制備方法。

背景技術(shù)

鍍膜玻璃是在玻璃表面涂鍍一層或多層金屬、合金或金屬化合物的薄膜，用以改變玻璃的光學(xué)性能，滿足某種特定要求。鍍膜玻璃在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽?yīng)用越來越廣泛，不單用于建筑領(lǐng)域，而且很多生活用品也用玻璃為材料。但是，鍍膜玻璃在運(yùn)輸和存儲(chǔ)的過程中，基片膜層容易發(fā)生劃傷、磨損的情況，其功能層銀膜也很容易氧化，并且鍍膜玻璃在進(jìn)行各種深加工和熱處理后，物理化學(xué)性能容易發(fā)生改變。針對上述問題，目前玻璃制造企業(yè)采用的方法是使用PE有機(jī)貼膜保護(hù)基片膜層，它可以起到一定的保護(hù)作用。但是，在使用基片時(shí)，需要人工揭膜，該保護(hù)膜不能重復(fù)利用且不易降解，批量使用會(huì)造成大量固體廢棄物，對環(huán)境造成嚴(yán)重的負(fù)面影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的技術(shù)目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種光學(xué)性能穩(wěn)定、不易發(fā)生氧化的鍍膜玻璃及其制備方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種具有保護(hù)膜層的鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍制在玻璃基片上的鍍膜層，其特征在于，所述鍍膜層以玻璃基片為基礎(chǔ)自內(nèi)向外依次包括：

沉積在所述玻璃基片上的第一保護(hù)層；

沉積在所述第一保護(hù)層上的第一電介質(zhì)層；

沉積在所述第一電介質(zhì)層上的第二保護(hù)層；

沉積在所述第二保護(hù)層上的功能膜層；

沉積在所述功能膜層上的第三保護(hù)層；

沉積在第三保護(hù)層上的第二電介質(zhì)層；

沉積在所述第二電介質(zhì)層上的外保護(hù)膜層。

進(jìn)一步的技術(shù)方案還包括：

作為優(yōu)選，所述外保護(hù)膜層設(shè)為碳膜層；

所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、第三保護(hù)層優(yōu)選為Ni?Cr、Cr、Ti或不銹鋼材料膜層中的一種。

所述第一電介質(zhì)層、所述第二電介質(zhì)層優(yōu)選為SnO₂、ZnSO₃、ZnO、Si₃N₄或TiO₂材料膜層中的一種。

所述功能膜層為銀層。

作為優(yōu)選，所述第一保護(hù)層、第二保護(hù)層、第三保護(hù)層的膜厚范圍設(shè)為3-8nm；所述第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層的膜厚設(shè)為16-100nm；所述外保護(hù)膜層的厚度范圍設(shè)為0.1-0.5μm。

一種制備上述具有保護(hù)膜層的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

準(zhǔn)備玻璃基片；

在所述玻璃基片上沉積第一保護(hù)層；

在所述第一保護(hù)層上沉積第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層上沉積第二保護(hù)層；

在所述第二保護(hù)層上沉積功能膜層；

在所述功能膜層上沉積第三保護(hù)層；

在所述第三保護(hù)層上沉積第二電介質(zhì)層；

在所述第二電介質(zhì)層上沉積外保護(hù)膜層，所述外保護(hù)膜層是將100％含碳?xì)湓赐ㄈ敕磻?yīng)器中經(jīng)薄膜工藝形成。

各膜層可采用真空磁控濺射方法鍍膜，作為優(yōu)選的技術(shù)方案：

所述第一保護(hù)層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為3.2×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述第一電介質(zhì)層通過交流雙靶濺射形成，其濺射條件為：背景真空度為3.0×10^-3mbar，充入氬氣、氮?dú)饣蛘邭鍤狻⒀鯕獾幕旌蠚怏w濺射。

所述第二保護(hù)層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為2.85×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述功能膜層通過直流單靶材濺射形成，濺射條件為：背景真空度為4.5×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述第三保護(hù)層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為2.85×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射。

所述第二電介質(zhì)層通過交流雙靶濺射形成，其濺射條件為：背景真空度為3.0×10^-3mbar，充入氬氣、氮?dú)饣蛘邭鍤狻⒀鯕獾幕旌蠚怏w濺射。

所述制備外保護(hù)層的含碳?xì)湓礊榧淄椋霰∧すに噧?yōu)選為等離子體離子蒸鍍。

本發(fā)明的有益效果：