[發(fā)明專利]具有保護膜層的鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110427129.7
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN102529210A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林嘉宏
• 申請（專利權(quán)）人: 林嘉宏
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/04;B32B17/00;C03C17/36;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/28
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍制在玻璃基片上的鍍膜層，其特征在于，所述鍍膜層以玻璃基片為基礎(chǔ)自內(nèi)向外依次包括：

沉積在所述玻璃基片上的第一保護層；

沉積在所述第一保護層上的第一電介質(zhì)層；

沉積在所述第一電介質(zhì)層上的第二保護層；

沉積在所述第二保護層上的功能膜層；

沉積在所述功能膜層上的第三保護層；

沉積在第三保護層上的第二電介質(zhì)層；

沉積在所述第二電介質(zhì)層上的外保護膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，其特征在于：

所述外保護膜層為碳膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，其特征在于：

所述第一保護層、第二保護層、第三保護層為NiCr、Cr、Ti或不銹鋼材料的膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，其特征在于：

所述第一電介質(zhì)層、所述第二電介質(zhì)層為SnO₂、ZnSO₃、ZnO、Si₃N₄或TiO₂材料的膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，其特征在于：

所述功能膜層為銀層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃，其特征在于：

所述第一保護層、第二保護層、第三保護層的膜厚為3-8nm；

所述第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層的膜厚為16-100nm；

所述外保護膜層的厚度范圍為0.1-0.5μm。

7.一種如權(quán)利要求1所述的具有保護膜層的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供玻璃基片；

在所述玻璃基片上沉積第一保護層；

在所述第一保護層上沉積第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層上沉積第二保護層；

在所述第二保護層上沉積功能膜層；

在所述功能膜層上沉積第三保護層；

在所述第三保護層上沉積第二電介質(zhì)層；

在所述第二電介質(zhì)層上沉積外保護膜層，所述外保護膜層是將100％含碳氫源通入反應(yīng)器中經(jīng)薄膜工藝形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，各膜層采用真空磁控濺射方法鍍膜：

所述第一保護層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為3.2×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述第一電介質(zhì)層通過交流雙靶濺射形成，其濺射條件為：背景真空度為3.0×10^-3mbar，充入氬氣、氮氣或者氬氣、氧氣的混合氣體濺射；

所述第二保護層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為2.85×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述功能膜層通過直流單靶材濺射形成，濺射條件為：背景真空度為4.5×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述第三保護層通過直流單靶材濺射形成，靶材為NiCr靶，其濺射條件為：背景真空度為2.85×10^-3mbar，充入純氬氣體濺射；

所述第二電介質(zhì)層通過交流雙靶濺射形成，其濺射條件為：背景真空度為3.0×10^-3mbar，充入氬氣和氮氣或者氬氣和氧氣的混合氣體濺射。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述含碳氫源為甲烷。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有保護膜層的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述薄膜工藝為等離子體離子蒸鍍。