[發明專利]制作懸浮納米線溝道型MOSFET的方法

無效

• 申請號: 201110425829.2
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN103165462A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王冬江;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制作懸浮納米線溝道型MOSFET的方法，包括：

a)提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有氧化物層和柵極；

b)在所述氧化物層和所述柵極上依次形成有阻擋層、犧牲層和多晶硅層；

c)對所述多晶硅層進行刻蝕，以在所述犧牲層上所述柵極的兩側形成溝道；

d)去除所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化物或氧化物。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括無定形碳或正硅酸乙酯。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為無定形碳。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述犧牲層，所述刻蝕氣體為O₂、CO₂、CO、HBr和Cl₂中的一種或多種。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述犧牲層，所述刻蝕溶液為氫氟酸溶液。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為10-60nm。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層的形成方法包括：

在所述犧牲層上形成非晶硅層；以及

通過固相晶化法將所述非晶硅層轉變為所述多晶硅層。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c)步驟中對所述多晶硅層進行刻蝕形成所述溝道的同時，還形成了源極區和漏極區。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述c)步驟之后還包括對所述源極區和所述漏極區進行摻雜，以分別形成源極和漏極的步驟。