[發(fā)明專利]用于再生氫傳感器的方法和裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110425258.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102565166A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | K·帕特爾;D·皮埃爾讓 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 阿迪森真空產(chǎn)品公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/414 | 分類號(hào)： | G01N27/414;B01J23/96 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 楊曉光;于靜 |
| 地址： | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 再生 傳感器 方法 裝置 | ||
1.一種用于再生氫傳感器的方法，所述傳感器包括柵極被鈀催化劑覆蓋的MOS型晶體管并被置入具有低于5000Pa的壓力的腔內(nèi)，在檢測(cè)到泄漏后，通過電子電路向所述晶體管的所述柵極施加電壓，從而再生所述催化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將所述電壓以脈沖模式施加到所述晶體管的所述柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中將所述晶體管加熱到100℃和250℃之間的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述電子電路包括用于進(jìn)行“測(cè)量”模式與“再生”模式的互相轉(zhuǎn)換的開關(guān)。
5.一種用于實(shí)施再生氫傳感器的方法的檢漏模塊，包括：
氫傳感器，包括MOS型晶體管，所述晶體管的柵極被鈀催化劑覆蓋，以及
再生裝置，包括：
電子電路，包括：
低頻DC發(fā)生器，
開關(guān)，安置在所述低頻DC發(fā)生器和所述MOS型晶體管的所述柵極之間，在所述開關(guān)閉合時(shí)，所述開關(guān)用于向所述晶體管的所述柵極施加電壓，以及
控制模塊，用于控制所述開關(guān)的閉合和打開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述開關(guān)選自繼電器和晶體管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于阿迪森真空產(chǎn)品公司，未經(jīng)阿迪森真空產(chǎn)品公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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