[發明專利]用于再生氫傳感器的方法和裝置

無效

• 申請號: 201110425258.2
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102565166A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: K·帕特爾;D·皮埃爾讓
• 申請（專利權）人: 阿迪森真空產品公司
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414;B01J23/96
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

技術領域

本發明涉及一種方法，該方法用于在使用在低壓下操作的檢測器通過氫進行檢漏之后的氫傳感器的再生。

背景技術

在每次檢漏測量之后，必須再生氫氣傳感器以確保再次測量的可信度并且保持檢漏的高靈敏度。氫傳感器的再生包括中和被俘獲在傳感器包含的晶體管的柵極上的H⁺。在自然過程期間，這些氫離子H⁺與來自空氣中的氧分子O₂結合。氫離子H⁺與氧分子O₂的化學反應使氫離子脫離晶體管的柵極并進入大氣。因此氫傳感器被中和從而可以進行下次檢漏。然而，通過此自然過程進行的氫傳感器的再生需要太長的時間，從而增加了檢測操作的持續時間，降低了檢漏循環的頻率。因此生產效率很低。所以，急需一種加快氫傳感器再生的方法以提高循環次數。

然而，當試圖在100Pa到5000Pa，例如1000Pa的低壓下進行測量時，會出現問題。這是因為低壓下沒有足夠的氧分子O₂與氫離子H⁺發生反應。因此，氫傳感器的再生比自然過程需要的時間更長，兩次測量之間的時間間隔也相應的增加了。因此，生產效率將會更低。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種用于再生在低壓下進行檢漏的氫傳感器的方法。該方法可以在短時間內完成傳感器的中和，所需時間比現有技術公知的自然過程短。

本發明涉及一種用于再生氫傳感器的方法，所述傳感器包括柵極被鈀催化劑覆蓋的MOS型晶體管并被置入低壓腔(enclosure)內，即，壓力低于5000Pa。根據此方法，在檢測到泄漏后，通過電子電路向述晶體管的所述柵極施加電壓，從而再生所述催化劑。

根據本發明的一個方面，將所述電壓以脈沖模式施加到所述晶體管的所述柵極。

根據本發明的另一個方面，將所述晶體管加熱到100℃到250℃之間的溫度。

根據本發明的另一個方面，所述電子電路包括用于進行“測量”模式與“再生”模式的互相轉換的開關。

此問題的另一種解決方案是提供氧，但是這種解決方案很昂貴并且相應增加了檢漏器的重量。通過電子電路施加電壓的解決方案具有經濟、小型化和可靠度高的優點。這種電子電路易于開發并且易于安裝到檢漏器中。本方法適用的泄漏速率從幾Pa.m³/s到10^-6Pa.m³/s.

本發明還涉及一種用于實施再生氫傳感器的方法的檢漏模塊，包括：

氫傳感器，包括MOS型晶體管，所述晶體管的柵極被鈀催化劑覆蓋，以及

再生裝置，包括：

電子電路，包括：

低頻DC發生器，

開關，安置在所述低頻DC發生器和所述MOS型晶體管的所述柵極之間，在所述開關閉合時，所述開關用于向所述晶體管的所述柵極施加電壓，以及

控制模塊，用于控制所述開關的閉合和打開。

根據本發明的一個變形，其中所述開關選自繼電器和晶體管。

附圖說明

考慮到下面對實施例的描述，本發明的特征和優點將更加顯而易見，本發明的附圖是用于說明目的而不是限制。在附圖中：

圖1示出了氫傳感器的一個實施例；

圖2示出了檢漏模塊的一個實施例，該檢漏模塊包括氫傳感器和用于氫傳感器再生的裝置；

圖3示出了在通過電子電路再生氫傳感器期間的電壓V(以伏特為單位)與時間t(以秒為單位)的關系；

圖4示出了對于不同的泄漏速率，在測量期間和通過自然過程再生期間的氫傳感器的輸出電壓V(以伏特為單位)與時間t(以秒為單位)的關系。

具體實施方式

在圖1和2示出的實施例中，氫傳感器1包括二極管2，電阻器3和晶體管4。