[發(fā)明專利]雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法與雙面晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110425198.4
• 申請(qǐng)日: 2011-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN102683211A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沃納·鄭林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/73
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，特別涉及具有雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法與雙面晶體管結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

元件尺寸微形化(miniaturization)是現(xiàn)在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中的趨勢，因而誕生了高密度的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元(Dynamic?Random?AccessMemory?cell，DRAM?cell)，能夠在較小面積中容納較多數(shù)量的字線(word?line)與比特線(bit?line)，進(jìn)而產(chǎn)生較快的運(yùn)算速度。

然而，正因?yàn)榘雽?dǎo)體元件的尺寸不斷微型化，造成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元彼此的間距也更為緊密，往往會(huì)導(dǎo)致非常強(qiáng)的字線-字線耦合效應(yīng)(wordline-word?line?coupling)，增加了耦合噪聲，造成數(shù)據(jù)存取錯(cuò)誤。因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種可避免上述問題的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法與雙面晶體管結(jié)構(gòu)，其可避免非常強(qiáng)的字線-字線耦合效應(yīng)。所述結(jié)構(gòu)提供多個(gè)可彼此耦接的左側(cè)門極與右側(cè)門極，因此在字線中提供局部連接(localconnection)，并且降低一硅晶圓(silicon?wafer)中字線的電阻值。

為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其提供一種雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，包含有：提供一硅鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)(silicon?Fin?Field?Effect?Transistorstructure，silicon?FinFET?structure)，其具有至少兩個(gè)鰭片和位于所述兩個(gè)鰭片之間的一溝槽；在每一鰭片的兩側(cè)形成多個(gè)高電阻門極；在每一對(duì)高電阻門極之間形成一孔洞以使所述每對(duì)高電阻門極互相連接；在所述溝槽的一側(cè)和所述每對(duì)高電阻門極之中一高電阻門極的下方形成一門極；形成一氧化層以覆蓋所述門極；和沉積一厚金屬層于所述溝槽中以形成一字線。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其還提供一種雙面晶體管結(jié)構(gòu)，包含有：至少兩個(gè)鰭片，具有一溝槽位于所述兩個(gè)鰭片之間；一對(duì)高電阻門極，形成于每一鰭片的兩側(cè)，其中所述每對(duì)高電阻門極通過一孔洞互相電性連接；一門極，形成于所述溝槽的一側(cè)和所述每對(duì)高電阻門極的一高電阻門極的下方；和一低電阻字線，形成于所述門極下方。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于鰭式場效晶體管導(dǎo)通速度與驅(qū)動(dòng)電流量比現(xiàn)有技術(shù)中的單面(one-sided)晶體管有很多的優(yōu)勢，故可避免非常強(qiáng)的字線一字線耦合效應(yīng)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中的一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的X軸方向的截面與Y軸方向的截面的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

103????????????????????高電阻門極

105????????????????????門極

107?????????????????????低電阻字線

109、111????????????????孔洞

113?????????????????????硅柱

具體實(shí)施方式

由于典型的字線具有高電阻，所以容易產(chǎn)生交差耦合(cross-coupling)的情形，為了解決此問題，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了埋入式低電阻字線(buried?low?ohmicword?line)，并且耦合一鰭式場效晶體管中一鰭片的左側(cè)門極與右側(cè)門極實(shí)現(xiàn)一雙面(two-sided)晶體管，而此種晶體管結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于其導(dǎo)通速度與驅(qū)動(dòng)電流量比現(xiàn)有技術(shù)中的單面(one-sided)晶體管有很多的優(yōu)勢。

傳統(tǒng)的鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)包含多個(gè)硅鰭片，其中所述多個(gè)硅鰭片的每一硅鰭片的任一側(cè)都具有一門極，且兩側(cè)的這些門極彼此之間是獨(dú)立工作，故需要狹小且具有高電阻的字線，但會(huì)因此導(dǎo)致非常強(qiáng)的字線一字線耦合效應(yīng)。為了要避免上述問題出現(xiàn)，本發(fā)明的目的之一在于實(shí)現(xiàn)可連同雙面晶體管一起操作的低電阻字線。

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例中一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器布局(layout)的示意圖。如圖所示，左方為所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器布局的Y軸方向的截面，而右方則為供左方參照用的所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器布局的X軸方向的截面。X軸方向的截面與一標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器十字線單元(crosshair?cell)唯一不同之處僅在于溝槽的底部有一孔洞，使得所述多個(gè)門極能夠穿越鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)而彼此耦接。