[發(fā)明專利]雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法與雙面晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110425198.4
• 申請(qǐng)日: 2011-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102683211A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沃納·鄭林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/73
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種雙面晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，包含有：

提供一硅鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其具有至少有兩個(gè)鰭片和位于所述兩個(gè)鰭片之間的一溝槽；

在每一鰭片的兩側(cè)形成多個(gè)高電阻門(mén)極；

在每一對(duì)高電阻門(mén)極之間形成一孔洞，使所述每對(duì)高電阻門(mén)極互相連接；

在所述溝槽的一側(cè)和所述每對(duì)高電阻門(mén)極中的一個(gè)高電阻門(mén)極的下方形成一門(mén)極；

形成一氧化層覆蓋所述門(mén)極；和

沉積一厚金屬層在所述溝槽中形成一字線。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征為，還包含：

在形成所述孔洞之后，將所述孔洞內(nèi)至少一部分填充一金屬。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征為，所述孔洞是填滿一金屬氮化物。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征為，所述溝槽中所填入的金屬為氮化鈦或鈦鎢。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征為，所述厚金屬層具有低電阻性和耦接一接地端。

6.一種雙面晶體管結(jié)構(gòu)，包含有：

至少有兩個(gè)鰭片，其具有一溝槽位于所述兩個(gè)鰭片之間；

一對(duì)高電阻門(mén)極，形成于每一鰭片的兩側(cè)，其中所述每對(duì)高電阻門(mén)極通過(guò)一孔洞互相電性連接；

一門(mén)極，在所述溝槽的一側(cè)和所述每對(duì)高電阻門(mén)極中的一個(gè)高電阻門(mén)極的下方；和

一低電阻字線，形成于所述門(mén)極的下方。

7.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征為，所述孔洞至少有一部分為一金屬氮化物所填充。

8.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征為，所述低電阻字線的材質(zhì)為氮化鈦或鈦鎢。

9.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征為，位于所述溝槽一側(cè)的所述門(mén)極為一氧化層所覆蓋。

10.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征為，所述孔洞是在形成所述每對(duì)高電阻門(mén)極的期間形成。

11.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征為，所述孔洞是在形成所述低電阻字線所進(jìn)行的金屬沉積工藝期間形成。