[發(fā)明專利]光器件晶片的加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110424137.6
• 申請(qǐng)日: 2011-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569056A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)家一馬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;H01L21/268
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光器件晶片的加工方法，該加工方法將光器件晶片中的光器件層轉(zhuǎn)移到移設(shè)基板，其中，在藍(lán)寶石基板或碳化硅等的外延基板的表面上隔著緩沖層層疊由n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層，在光器件層上在由呈格子狀形成的多個(gè)切割道劃分出的多個(gè)區(qū)域內(nèi)形成有發(fā)光二極管、激光二極管等的光器件。

背景技術(shù)

在光器件制造步驟中，在大致圓板形狀的藍(lán)寶石基板或碳化硅等的外延基板的表面上隔著緩沖層層疊有由n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層，在光器件層上在由呈格子狀形成的多個(gè)切割道劃分出的多個(gè)區(qū)域內(nèi)形成有發(fā)光二極管、激光二極管等的光器件，從而構(gòu)成光器件晶片。然后，通過(guò)沿著切割道分割光器件晶片來(lái)制造各個(gè)光器件(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

并且，作為提高光器件的亮度的技術(shù)，在下述專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了以下被稱為剝離的制造方法：使在構(gòu)成光器件晶片的藍(lán)寶石基板或碳化硅等的外延基板的表面上隔著緩沖層層疊的由n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層隔著金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pb)等的接合金屬層與鉬(Mo)、銅(Cu)、硅(Si)等的移設(shè)基板接合，通過(guò)從外延基板的背面?zhèn)认蚓彌_層照射激光來(lái)剝離外延基板，將光器件層轉(zhuǎn)移到移設(shè)基板上。

【專利文獻(xiàn)1】日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】日本特表2005-516415號(hào)公報(bào)

在上述的專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)的技術(shù)中，由于在使移設(shè)基板與層疊在外延基板的表面上的光器件層接合時(shí)加熱到220℃～300℃的溫度，因而由于外延基板和移設(shè)基板的線膨脹系數(shù)的差異而使由外延基板和移設(shè)基板構(gòu)成的接合體發(fā)生翹曲。因此，當(dāng)從光器件層剝離外延基板時(shí)，難以使激光束的聚光點(diǎn)定位在外延基板和光器件層之間的緩沖層，存在這樣的問(wèn)題：使光器件層損傷，或者不能可靠地分解緩沖層而不能順利剝離外延基板。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而作成的，本發(fā)明的主要技術(shù)課題是提供一種可使層疊在構(gòu)成光器件晶片的外延基板的表面上的光器件層順利轉(zhuǎn)移到移設(shè)基板而不使該光器件層受到損傷的光器件晶片的加工方法。

為了解決上述的主要技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種光器件晶片的加工方法，該加工方法將光器件晶片中的光器件層轉(zhuǎn)移到移設(shè)基板上，所述光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的表面，并在由呈格子狀形成的多個(gè)切割道劃分出的多個(gè)區(qū)域內(nèi)形成有光器件，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，所述加工方法包括：移設(shè)基板接合步驟，使移設(shè)基板與在該外延基板的表面上隔著該緩沖層層疊的該光器件層的表面接合；移設(shè)基板切斷步驟，將與該光器件層的表面接合的該移設(shè)基板與該光器件層一起沿著該切割道切斷；剝離用激光束照射步驟，將被實(shí)施了該移設(shè)基板切斷步驟后的該移設(shè)基板貼附在保持部件上，從層疊有與該移設(shè)基板接合的該光器件層的該外延基板的背面?zhèn)仁咕酃恻c(diǎn)定位于該緩沖層而照射透過(guò)該外延基板的激光束，從而分解該緩沖層；以及外延基板剝離步驟，在實(shí)施了該剝離用激光束照射步驟后，從該光器件層剝離該外延基板。

上述移設(shè)基板切斷步驟利用切削刀將移設(shè)基板沿著切割道切斷。并且，上述移設(shè)基板切斷步驟通過(guò)沿著移設(shè)基板的切割道照射激光束來(lái)將移設(shè)基板沿著切割道切斷。

在本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中，該加工方法包括：移設(shè)基板接合步驟，使移設(shè)基板與隔著緩沖層層疊在外延基板的表面的光器件層的表面接合；移設(shè)基板切斷步驟，將與光器件層的表面接合的移設(shè)基板與光器件層一起沿著切割道切斷；剝離用激光束照射步驟，將被實(shí)施了移設(shè)基板切斷步驟后的移設(shè)基板貼附在保持部件上，從層疊有與移設(shè)基板接合的光器件層的外延基板的背面?zhèn)葘⒕酃恻c(diǎn)定位于緩沖層而照射透過(guò)外延基板的激光束，從而分解緩沖層；以及外延基板剝離步驟，在實(shí)施了剝離用激光束照射步驟后，從光器件層剝離外延基板，因而在實(shí)施剝離用激光束照射步驟時(shí)，通過(guò)將移設(shè)基板沿著切割道切斷，可消除由于外延基板和移設(shè)基板的線膨脹系數(shù)的差異而產(chǎn)生的發(fā)生在由外延基板和移設(shè)基板構(gòu)成的接合體上的翹曲，因而可使激光束的聚光點(diǎn)準(zhǔn)確定位在緩沖層上。并且，緩沖層由氮化鎵(GaN)形成，通過(guò)激光束的照射被分解為2GaN→2Ga+N2，產(chǎn)生N2氣體，給光器件層帶來(lái)不良影響，然而由于移設(shè)基板3被分割為各個(gè)光器件，因而通過(guò)分割槽排出N2氣體，減輕了對(duì)光器件層的不良影響。

附圖說(shuō)明

圖1是示出使用本發(fā)明的光器件晶片的加工方法進(jìn)行加工的光器件晶片的立體圖和將主要部分放大的剖視圖。

圖2是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的移設(shè)基板接合步驟的說(shuō)明圖。