[發明專利]光器件晶片的加工方法有效
| 申請號: | 201110424137.6 | 申請日: | 2011-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN102569056A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 關家一馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
1.一種光器件晶片的加工方法,將光器件晶片中的光器件層轉移到移設基板上,該光器件層隔著緩沖層層疊在外延基板的表面上,并在由呈格子狀形成的多個切割道劃分出的多個區域內形成有光器件,
該光器件晶片的加工方法的特征在于包括:
移設基板接合步驟,使移設基板與在該外延基板的表面上隔著該緩沖層層疊的該光器件層的表面接合;
移設基板切斷步驟,將與該光器件層的表面接合的該移設基板與該光器件層一起沿著該切割道進行切斷;
剝離用激光束照射步驟,將被實施了該移設基板切斷步驟后的該移設基板貼附在保持部件上,從層疊有接合了該移設基板的該光器件層的該外延基板的背面側使聚光點定位于該緩沖層而照射透過該外延基板的激光束,從而分解該緩沖層;以及
外延基板剝離步驟,在實施了該剝離用激光束照射步驟后,從該光器件層剝離該外延基板。
2.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法,其中,該移設基板切斷步驟利用切削刀將該移設基板沿著該切割道進行切斷。
3.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法,其中,該移設基板切斷步驟通過沿著該移設基板的切割道照射激光束來將該移設基板沿著該切割道進行切斷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





