[發(fā)明專利]MEMS麥克風(fēng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110424047.7 | 申請日: | 2011-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN102421053A | 公開(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋青林;龐勝利 | 申請(專利權(quán))人: | 歌爾聲學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/04 | 分類號: | H04R19/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | mems 麥克風(fēng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種MEMS麥克風(fēng),尤其涉及一種具備抗震和抗沖擊性能的MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)
隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場的快速發(fā)展,產(chǎn)品的競爭也不再局限在功能方面,可靠性的競爭也隨之而來。
在麥克風(fēng)的實(shí)際應(yīng)用中,由于產(chǎn)品震動(dòng),受到機(jī)械沖擊是難以避免的。直接作用于芯片的機(jī)械沖擊對芯片造成傷害,嚴(yán)重影響麥克風(fēng)的性能和壽命。一般的MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)僅僅涉及功能領(lǐng)域,幾乎沒有涉及到麥克風(fēng)的防震、抗沖擊處理。
因此,有必要提供一種具備抗震和抗沖擊性能的MEMS麥克風(fēng),以提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)可靠性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種抗震、抗沖擊的MEMS麥克風(fēng),可以提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)可靠性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種MEMS麥克風(fēng),包括由基板和外殼形成的外部封裝結(jié)構(gòu),在所述封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部安裝有MEMS芯片,所述封裝結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有連通所述MEMS芯片的進(jìn)聲孔,并且:所述基板包含至少兩層,相鄰兩層的所述基板之間設(shè)置有緩沖層;所述基板電連通所述MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部電路和外部電子電路。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述緩沖層為柔性導(dǎo)電膠;所述相鄰兩層基板之間通過所述導(dǎo)電膠電連接。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述基板上設(shè)置有金屬化通孔,所述金屬化通孔與所述柔性導(dǎo)電膠電連接。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述緩沖層為縱向電導(dǎo)通,橫向絕緣的柔性異向?qū)щ娔z。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述進(jìn)聲孔設(shè)置在所述外殼上;所述柔性異向?qū)щ娔z全部覆蓋在所述相鄰兩層基板之間。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述進(jìn)聲孔設(shè)置在所述基板上;所述柔性異向?qū)щ娔z設(shè)置在連通所述MEMS芯片區(qū)域之外的所述相鄰兩層基板之間。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述MEMS麥克風(fēng)為方形。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述緩沖層設(shè)置在所述相鄰兩層基板的四個(gè)角部。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述緩沖層設(shè)置在所述相鄰兩層基板之間的局部以及兩個(gè)角部。
由于采用了上述設(shè)計(jì)方案:作用于本發(fā)明MEMS麥克風(fēng)的機(jī)械沖擊首先作用與所述基板之間的緩沖層,經(jīng)過緩沖層緩沖后到達(dá)MEMS芯片,因此與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明MEMS麥克風(fēng)可以有效地降低機(jī)械沖擊對MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和性能影響,提高了產(chǎn)品的抗震、抗沖擊能力和可靠性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例一MEMS麥克風(fēng)的剖視圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例一MEMS麥克風(fēng)A-A向的剖視圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例二MEMS麥克風(fēng)的剖視圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例二MEMS麥克風(fēng)A-A向的剖視圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)的剖視圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)A-A向的剖視圖;
圖7為本發(fā)明實(shí)施例四MEMS麥克風(fēng)的剖視圖;
圖8為本發(fā)明實(shí)施例四MEMS麥克風(fēng)A-A向的剖視圖;
附圖標(biāo)記說明:
11-上層基板;12-下層基板;21a、21b、21c、21d-緩沖層;3-MEMS芯片;4-外殼;5-ASIC芯片;6-金屬化通孔;7-進(jìn)聲孔;71第一進(jìn)聲孔;72第二進(jìn)聲孔。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例一:
如圖1和圖2所示,本實(shí)施例涉及的MEMS麥克風(fēng),包括由基板和外殼4形成的外部封裝結(jié)構(gòu),在所述封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部安裝有MEMS芯片3和ASIC5芯片,封裝結(jié)構(gòu)表面的外殼7上設(shè)置有連通MEMS芯片3的進(jìn)聲孔7,其中:基板包含上層基板11和下層基板12兩層,在上層基板11和下層基板12之間設(shè)置有緩沖層21a;并且基板電連通MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部電路和外部電子電路。
由于采用了上述涉及方案,通過將基板設(shè)置為兩層,并且在兩層基板之間設(shè)置緩沖層21a,在作用于本發(fā)明MEMS麥克風(fēng)的機(jī)械沖擊首先作用與所述基板之間的緩沖層,首先經(jīng)過緩沖層緩沖后到達(dá)MEMS芯片,可以有效地降低機(jī)械沖擊對MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和性能影響,提高了產(chǎn)品的抗震、抗沖擊能力和可靠性。
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