[發(fā)明專利]一種多段控溫晶體生長(zhǎng)爐無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110423024.4 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102517624A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周東祥;龔樹(shù)萍;鄭志平;傅邱云;胡云香;趙俊;劉歡;王晶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B11/00 | 分類號(hào)： | C30B11/00;C30B13/28;C30B35/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多段控溫 晶體生長(zhǎng) | ||
1.一種多段控溫晶體生長(zhǎng)爐，包括爐體，所述爐體上端設(shè)有安瓿懸掛裝置，所述爐體外部設(shè)有爐體隔熱層，所述爐體分為上保溫區(qū)和下保溫區(qū)，其特征在于，所述爐體上、下保溫區(qū)之間還設(shè)有生長(zhǎng)區(qū)，所訴生長(zhǎng)區(qū)包括在所述爐體中部軸向安置的多個(gè)加熱單元，相鄰加熱單元之間設(shè)有隔熱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多段控溫晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述加熱單元包括內(nèi)置加熱棒的環(huán)片，所述環(huán)片接有熱電偶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多段控溫晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述環(huán)片采用紫銅、鋁、碳化硅中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多段控溫晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述環(huán)片的內(nèi)圈為圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多段控溫晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述相鄰加熱單元之間的隔熱層采用氧化鋁泡沫磚、硅酸鋁纖維、陶瓷纖維中的一種。
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