[發明專利]一種檢測晶片是否異常的方法

有效

• 申請號: 201110422284.X
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN103165490A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 劉改花;林華堂;華強
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種檢測晶片是否異常的方法，其特征在于，包括：

在待檢測的各晶片上分別設定一個相互對應的標志位置，對應標志位置處的數據為晶片上所測數據的理論最大值；

在待檢測的各晶片上除了標志位置外再各設定多個一一相互對應的位置；

采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的數據并記錄；

對各晶片上所采集的數據求平均，得出各晶片所對應的均值；

求每一晶片上標志位置處的數據與該晶片所對應的均值的差值；

判斷各晶片所對應的差值是否超出預設范圍，如果否，則該晶片正常，如果是，則該晶片異常。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的數據，包括：

采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的厚度、尺寸或離子濃度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在待檢測的各晶片上除了標志位置外再各設定4個一一相互對應的位置。