[發(fā)明專利]一種檢測晶片是否異常的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110422284.X | 申請日: | 2011-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN103165490A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉改花;林華堂;華強 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 晶片 是否 異常 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及半導體器件制作工藝技術領域,更具體地說,涉及一種檢測晶片是否異常的方法。
背景技術
半導體器件制作過程中,常會涉及到鍍膜、刻蝕等工藝步驟。在每一步的工藝步驟完成后,緊接著都有一個檢測過程,用來檢測各工藝步驟完成后的晶片是否滿足要求,對于滿足要求的晶片可以進行下一工藝步驟,對于不滿足工藝要求的晶片可能要進行相應的處理然后重新開始此工藝步驟或者報廢晶片等。
現有技術中在每一步的工藝步驟完成后,常通過統(tǒng)計過程控制(Statistical?Process?Control,SPC)方法對晶片生產過程進行監(jiān)控。在檢測過程中首先需要采集各晶片上設定位置處的數據,之后對所采集的數據進行處理,通過處理后的數據來判定某一工藝步驟后的各晶片是否均滿足要求。
對所采集的數據進行處理時應用最多的要數均值法和極差法了。但是,當所檢測晶片中出現異常晶片時,采用均值法和極差法有時會檢測不出來,下面以具體圖示加以說明。
參看圖1,圖1為在6個晶片中的每個晶片上均采集5個相應位置處的數據的分布圖。圖中橫坐標代表6個晶片,縱坐標代表每一晶片上5個相應位置處的數據。由圖可看出,前5個晶片均是“*”所代表的位置(site5)處的數據最大,而第6個晶片則出現了異常。
參看圖2和圖3,圖2和圖3分別為圖1中所示數據的均值和極差分布圖。圖2中的橫坐標代表上述6個晶片,縱坐標表示每一晶片上5個相應位置處的數據的均值;圖3中的橫坐標代表上述6個晶片,縱坐標表示每一晶片上5個相應位置處的數據的極差(即5個數據中的最大值減去最小值)。由圖2和圖3可知,對圖1中的原始數據采用均值法或極差法處理后,第6個晶片上數據的異常情況將檢測不出來,這將會使異常晶片進入下一工藝步驟,進而造成更大的損失。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種檢測晶片是否異常的方法,通過該方法能夠有效地檢測出某一工藝步驟后的異常晶片,從而避免更大的損失。
為實現上述目的,本發(fā)明提供如下技術方案:
一種檢測晶片是否異常的方法,該方法包括:
在待檢測的各晶片上分別設定一個相互對應的標志位置,對應標志位置處的數據為晶片上所測數據的理論最大值;
在待檢測的各晶片上除了標志位置外再各設定多個一一相互對應的位置;
采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的數據并記錄;
對各晶片上所采集的數據求平均,得出各晶片所對應的均值;
求每一晶片上標志位置處的數據與該晶片所對應的均值的差值;
判斷各晶片所對應的差值是否超出預設范圍,如果否,則該晶片正常,如果是,則該晶片異常。
優(yōu)選的,上述方法中,采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的數據具體包括:
采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的厚度、尺寸或離子濃度。
優(yōu)選的,上述方法中,在待檢測的各晶片上除了標志位置外再各設定4個一一相互對應的位置。
從上述技術方案可以看出,本發(fā)明所提供的檢測晶片是否異常的方法,首先在待檢測的各晶片上分別設定一個相互對應的標志位置,對應標志位置處的數據為晶片上所測數據的理論最大值;然后在待檢測的各晶片上除了標志位置外再各設定多個一一相互對應的位置;之后采集各晶片上所設定的標志位置以及其他多個位置處的數據并記錄;再之后對各晶片上所采集的數據求平均,得出各晶片所對應的均值;最后求每一晶片上標志位置處的數據與該晶片所對應的均值的差值,如果該差值超出預設范圍,則該晶片異常,否則該晶片正常。由于該方法在判斷某晶片是否異常時所用的差值不僅由該晶片所對應的均值來決定,而且由該晶片上標志位置處所采集的數據決定,而該晶片上標志位置處所采集的數據在理論上又應該為最大值,因此,在該晶片上標志位置處的數據不再是最大值時,從該晶片所對應的差值將能反映出來,從而可檢測出該晶片為異常晶片。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為在6個晶片中的每個晶片上均采集5個相應位置處的數據的分布圖;
圖2為圖1中所示數據的均值分布圖;
圖3為圖1中所示數據的極差分布圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





