[發明專利]一種LDMOS的等效電路

有效

• 申請號: 201110421649.7
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102497185A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 姜艷;胡林輝
• 申請（專利權）人: 上海新進半導體制造有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

技術領域

本發明涉及電路領域，尤其涉及一種LDMOS(Laterally?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體)的等效電路。

背景技術

LDMOS與其他晶體管相比，在關鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關性能、散熱性能以及減少級數等方面優勢明顯，因此，大量應用于各種高功率開關電路中。

由于LDMOS是一個固有的器件，本身電學特性復雜，因此，在電路設計過程中使用LDMOS時，往往很難對設計得到的電路進行準確的判斷和評價。即便通過仿真對電路進行判斷，由于LDMOS電學特性復雜，很難對設計得到的電路進行準確的判斷和評價，電路的仿真結果并不準確。

因此，在現有技術中使用LDMOS進行開關電路設計時，設計得到的電路難以評價。

發明內容

有鑒于此，本發明要解決的技術問題是，提供一種LDMOS的等效電路，能夠在仿真中作為LDMOS的等效電路，提高包含LDMOS的電路的仿真精度。

為此，本發明實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種LDMOS等效電路，包括：

可變電容的第一端連接場效應管的柵極，可變電容的第二端連接場效應管的漏極；場效應管的柵極與可變電容第一端的連接點作為LDMOS等效電路的柵極，場效應管的漏極與可變電容第二端的連接點連接LDMOS等效電路的漏極，場效應管的源極作為LDMOS等效電路的源極。

其中，場效應管的漏極與可變電容第二端的連接點，該連接點與LDMOS等效電路的漏極之間串接電阻。

所述電阻的電學模型為：

Rd＝rd0*(1+pvc*abs(v(d，di)))*(1+pvb*abs(v(d，di)))/((w+wa)*1e6)*(1+ptc*dtemp)；

其中，rd0表示LDMOS漏極在溫度為27℃下單位寬度電阻；pvc表示LDMOS漏極電阻的漏源電壓系數；pvb表示LDMOS漏極電阻的襯偏電壓系數；wa表示窄溝調節參數；ptc表示LDMOS漏端電阻溫度系數；w表示LDMOS的溝道寬度；v(d，di)表示電阻兩端的電壓。

還包括：

LDMOS等效電路的漏極連接第一二極管的陰極，第一二極管的陽極接地。

場效應管的漏極連接第二二極管的陰極，第二二極管的陽極連接場效應管的源極。

所述可變電容的電學模型為：

可變電容Cgd＝(c0/(pwr((1-(min(0，v(s，d)))/vj)，mj)))*w

其中，c0表示LDMOS等效電路所對應LDMOS的漏極和源極間電壓差為0時，柵極到漏極單位寬度的交疊電容；vj表示LDMOS的內建電勢；mj表示電容指數系數；v(s，d)表示LDMOS的源極和漏極之間的電壓；w表示LDMOS的溝道寬度；pwr是冪指數函數。

對于上述技術方案的技術效果分析如下：

可變電容的第一端連接場效應管的柵極，可變電容的第二端連接場效應管的漏極；場效應管的柵極與可變電容第一端的連接點作為LDMOS等效電路的柵極，場效應管的漏極與可變電容第二端的連接點連接LDMOS等效電路的漏極，場效應管的源極作為LDMOS等效電路的源極。通過可變電容表征LDMOS柵極和漏極之間的電容，從而能夠在仿真中作為LDMOS的等效電路，提高包含LDMOS的電路的仿真精度。

附圖說明

圖1為本發明實施例第一種LDMOS等效電路結構示意圖；

圖2為本發明實施例第二種LDMOS等效電路結構示意圖；

圖3為本發明實施例第三種LDMOS等效電路結構示意圖；

圖4為本發明實施例第四種LDMOS等效電路結構示意圖；

圖5為本發明實施例LDMOS等效電路仿真結構示意圖。

具體實施方式